中国科学院金属研究所赵晓天获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119956300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510100181.3,技术领域涉及:C23C14/34;该发明授权一种用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材的制备方法是由赵晓天;刘伟;刘龙;陈嘉梁;李春昊;刘松;张志东设计研发完成,并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材的制备方法在说明书摘要公布了:本发明是一种用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材的制备方法,具体涉及永磁材料制备技术领域。一种用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材的制备方法,采用母合金配料的烧注方法和分体模具制备用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材。采用母合金替代单质进行配料,有效避免了直接熔炼高纯Nd、Fe和B时由于三种元素原子比差异大导致的配比误差,提高了靶材成分的准确性和可重复性。低含氧量和高均匀性的溅射靶材能够确保NdFeB薄膜获得设计时的理想成分比,减轻了有害元素的干扰,获得良好的成相质量,大幅提高了剩磁。采用复合材料分体模具浇铸靶材,能够大幅降低模具成本,并阻止靶材开裂。
本发明授权一种用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材的制备方法,其特征在于:采用母合金配料的浇铸方法和分体模具制备用于生长NdFeB薄膜的低含氧量均质靶材;所述母合金配料包括母合金1,母合金2和母合金3,母合金1,母合金2和母合金3采用Nd、Fe和B在速凝铸片炉中制备;母合金1、母合金2或母合金3中的任一质量比例不应低于母合金配料总质量的10%,母合金含氧量低于150ppm; 所述母合金配料的元素以Nd、Fe、B为核心,Nd可全部或部分由Pr、La、Ce中的一种或几种替代,Fe可部分由Al、Ga、Nb或Co之一种或几种替代;所述母合金1中的Nd、Pr、La、Ce元素的总含量占母合金1原子比的20%以上,余量中Fe、Co、Al、Ga和Nb元素的总含量与B元素的原子比大于7小于8;所述母合金2中的Fe、Co、Al、Ga和Nb元素的总含量占母合金2原子比的80%以上,余量中Nd、Pr、La、Ce元素的总含量与B元素的原子比大于1小于2;所述母合金3中B元素占母合金3原子比的12%以上,余量中Nd、Pr、La、Ce元素的总含量与Fe、Co、Al、Ga和Nb元素的总含量的原子比大于0.15小于0.25;Nd、Pr、La、Ce元素的原子比在母合金成分中占13%-17%之间,Fe、Co、Al、Ga和Nb元素的原子比在母合金成分中占72%-78%之间,B元素原子比在母合金成分中占8%-12%;混合后的母合金采用真空熔炼方法浇铸到分体模具中凝固形成,所述分体模具应由环状侧壁和平底板两部分构成,环装侧壁的材料为纯铁、低碳钢或不锈钢,平底板的材质为石英玻璃、氧化铝或氮化硼陶瓷。
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