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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利基于级联MZI的光纤磁场和温度测量装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510199131.5，技术领域涉及：G01R33/032；该发明授权基于级联MZI的光纤磁场和温度测量装置及方法是由潘锐;李立新;杨文龙;王宇设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于级联MZI的光纤磁场和温度测量装置及方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于级联MZI的光纤磁场和温度测量装置及方法，涉及光纤传感技术领域。装置包括：宽带光源、传感器和光谱分析仪；传感器包括石英管和依次熔接的第一单模光纤、第一少模光纤、磁流体填充的侧孔光纤、UV胶膜涂覆的空芯光纤、第二少模光纤、第二单模光纤；磁流体填充的侧孔光纤中纤芯和磁流体腔构成第一MZI；UV胶膜涂覆的空芯光纤中的空芯纤芯和第二包层构成第二MZI；第一少模光纤将第一单模光纤导入的光束进行扩束后，经第一MZI和第二MZI导入第二少模光纤进行耦合，对耦合光束进行解调，采用系数矩阵进行计算，以实现磁场和温度的双参量测量。本申请旨在实现磁场和温度的双参量同时检测，且灵敏度高。

本发明授权基于级联MZI的光纤磁场和温度测量装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于级联MZI的光纤磁场和温度测量装置，其特征在于，所述基于级联MZI的光纤磁场和温度测量装置包括：上位机、宽带光源、传感器和光谱分析仪； 所述宽带光源与所述传感器连接；所述传感器与所述光谱分析仪连接；所述上位机与所述光谱分析仪连接； 所述传感器包括石英管和依次熔接的第一单模光纤、第一少模光纤、磁流体填充的侧孔光纤、UV胶膜涂覆的空芯光纤、第二少模光纤、第二单模光纤； 其中，磁流体填充的侧孔光纤包括纤芯、第一包层和磁流体腔；所述纤芯和所述磁流体腔构成第一MZI；所述石英管用于封装所述第一MZI； UV胶膜涂覆的空芯光纤包括空芯纤芯、第二包层和UV胶膜；所述空芯纤芯和所述第二包层构成第二MZI； 所述第一单模光纤用于将所述宽带光源发出的光束导入所述第一少模光纤； 所述第一少模光纤用于将所述光束进行扩束后，依次导入磁流体填充的侧孔光纤和UV胶膜涂覆的空芯光纤，经所述第一MZI和所述第二MZI导入所述第二少模光纤；所述第二少模光纤用于将接收到的光束进行耦合，得到耦合光束； 所述第二单模光纤用于将所述耦合光束导出至所述光谱分析仪； 所述光谱分析仪用于对所述耦合光束进行解调，得到对应的干涉光谱； 所述上位机用于根据所述干涉光谱采用系数矩阵进行计算，以实现磁场和温度的双参量测量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨理工大学，其通讯地址为：150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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