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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司;中国科学院微电子研究所申请的专利一种集成电路的修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119903793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411766369.3，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权一种集成电路的修复方法是由杨红;孙鸣阳;刘倩倩;卜伟海;王晓磊;罗军;武咏琴;王文武设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路的修复方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种集成电路的修复方法，涉及集成电路技术领域，以提高对集成电路的老化修复的实时性、修复精度和修复效果，从而提高集成电路在长时间工作过程中的性能。集成电路的修复方法包括：首先，提供待修复的集成电路。接下来，获取待修复的集成电路的第一性能关联参数和性能退化关联参数；并建立电路老化模型。接下来，对待修复的集成电路进行仿真，确定待修复的集成电路中的待修复晶体管和第一故障时间。接下来，获取待修复晶体管的第二性能关联参数。接下来，确定待修复晶体管对应的修复参数。接下来，采用栅诱导漏极泄漏电流修复方式，并根据第一故障时间和修复参数对待修复晶体管进行修复。

本发明授权一种集成电路的修复方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的修复方法，其特征在于，包括： 提供待修复的集成电路； 获取所述待修复的集成电路的第一性能关联参数和性能退化关联参数；并根据所述第一性能关联参数建立电路老化模型；所述第一性能关联参数包括：设计工作温度、设计最大电压应力、设计工作时间、设计阈值电压、设计饱和漏电流和设计电路导通延迟时间；所述性能退化关联参数包括：电路类型、退化阈值电压、退化饱和漏电流和退化电路导通延迟时间；其中，所述电路类型包括：存储器、运算器或放大器； 对所述待修复的集成电路进行仿真，获得仿真性能关联参数；并根据所述电路老化模型、所述仿真性能关联参数和所述性能退化关联参数，确定所述待修复的集成电路中的待修复晶体管和第一故障时间； 获取所述待修复晶体管的第二性能关联参数；所述第二性能关联参数包括：阈值电压的下降量、亚阈值摆幅、跨导、电场强度分布、饱和漏电流的下降量； 根据所述第二性能关联参数、所述仿真性能关联参数和所述性能退化关联参数，确定所述待修复晶体管对应的修复参数； 采用栅诱导漏极泄漏电流修复方式，并根据所述第一故障时间和所述修复参数对所述待修复晶体管进行修复。

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