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华中科技大学刘欢获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于气敏场效应晶体管的特异性气体编码方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119881055B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411985428.6,技术领域涉及:G01N27/414;该发明授权一种基于气敏场效应晶体管的特异性气体编码方法及应用是由刘欢;李华曜;唐艳婷;刘竞尧;周伯文设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于气敏场效应晶体管的特异性气体编码方法及应用在说明书摘要公布了:本申请属于气体传感器领域,具体公开了一种基于气敏场效应晶体管的特异性气体编码方法及应用。所述特异性气体编码方法包括:获得受体功能因子和转换功能因子作为气体的特征点,以实现特异性气体编码;其中,为气敏场效应晶体管中气敏薄膜的表面电势变化量,n为单位体积下的气体分子数,mgas为气体分子的质量,ΔI为气敏场效应晶体管的电流变化量,b1为与温度有关的常数,b2为与气敏场效应晶体管的电极沟道有关的常数。本申请利用场效应晶体管气体传感器的电学参数可提取的优势,来解析气体‑固体相互作用产生的电子转导过程,进而可实现对不同气体的区分。

本发明授权一种基于气敏场效应晶体管的特异性气体编码方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种基于气敏场效应晶体管的特异性气体编码方法,其特征在于,包括:获得受体功能因子x和转换功能因子y作为气体的特征点,以实现特异性气体编码; 其中,受体功能因子,转换功能因子;为气敏场效应晶体管中气敏薄膜的表面电势变化量,n为单位体积下的气体分子数,mgas为气体分子的质量,为气敏场效应晶体管的电流变化量,b1为与温度有关的常数,b2为与气敏场效应晶体管的电极沟道有关的常数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学,其通讯地址为:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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