大连理工大学赵璐明获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种磁控伸缩接触脱离脑皮层的植入式神经电极装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119867767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411981538.5，技术领域涉及：A61B5/293；该发明授权一种磁控伸缩接触脱离脑皮层的植入式神经电极装置是由赵璐明;刘波;张航与设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁控伸缩接触脱离脑皮层的植入式神经电极装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁控伸缩接触脱离脑皮层的植入式神经电极装置，属于脑信号研究技术领域。包括：柔性基底、磁致变形基底、磁致变形薄膜、弹性组件以及电极；所述柔性基底一侧设置有若干个整齐排列的矩形凹槽；两片所述磁致变形薄膜分别贴于所述磁致变形基底两侧，其中一侧的磁致变形薄膜用于将所述磁致变形基底固定于所述柔性基底的矩形凹槽内；所述电极固定于所述磁致变形基底上，用于采集脑电信号；所述弹性组件用于牵引形变后的所述磁致变形基底恢复平面状态。本发明装置固定于硬脑膜下，可在磁场驱动下发生弯曲，实现了神经电极与脑皮层的有效接触，相比于传统半侵入式神经电极，提高了脑电信号的检测质量和稳定性。
本发明授权一种磁控伸缩接触脱离脑皮层的植入式神经电极装置在权利要求书中公布了：1.一种磁控伸缩接触脱离脑皮层的植入式神经电极装置，其特征在于，包括：柔性基底、磁致变形基底、磁致变形薄膜、弹性组件以及电极； 所述柔性基底一侧设置有若干个整齐排列的矩形凹槽； 两片所述磁致变形薄膜分别贴于所述磁致变形基底两侧，其中一侧的磁致变形薄膜用于将所述磁致变形基底固定于所述柔性基底的矩形凹槽内； 所述电极固定于所述磁致变形基底上，用于采集脑电信号； 所述弹性组件用于牵引形变后的所述磁致变形基底恢复平面状态。
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