中国计量大学;西湖大学光电研究院赵鼎获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量大学;西湖大学光电研究院申请的专利基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构及三维微纳空心结构制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119861527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411903787.2，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构及三维微纳空心结构制造方法是由赵鼎;孙歆语;仇旻;舒海波设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构及三维微纳空心结构制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构及三维微纳结构的制造方法，包括：在加工面上沉积一层冰层；然后利用低能量电子束分层曝光，去除每层特定部分的冰层，最终形成带有特定灰度图案的三维灰度冰雕结构；可选择的在三维冰雕结构采用物理气相沉积发沉积材料，形成三维微纳结构；所述冰层为水冰；所述低电压电子束能量低于5keV。本发明利用iEBL的特性以及水冰中的低能量曝光，不紧可以获得无需支撑结构的三维冰雕结构，而且可以将灰度冰雕成功转化为高纯度的三维金属结构。这一突破为采用水冰抗蚀剂改进纳米器件制造提供了潜力，并确立了iEBL在构建精细、无污染的三维金属纳米结构中的关键技术地位。
本发明授权基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构及三维微纳空心结构制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于低电压冰胶电子束曝光的三维灰度结构制造方法，其特征在于，包括：在加工面上沉积一层冰层；然后利用低电压电子束分层曝光，去除每层特定部分的冰层，最终形成带有特定灰度图案的三维冰雕结构；所述冰层为水冰；所述低电压电子束能量低于5keV。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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