甬江实验室王景峰获国家专利权
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龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411874809.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权芯片封装结构及其制备方法是由王景峰;王文博;王曦;李晓琪;张若蒙;王磊;李雯钰;潘成兵设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了芯片封装结构及其制备方法，属于芯片封装技术领域。所述芯片封装结构，包括：基底；第一散热层，所述第一散热层设置在所述基底上，且所述第一散热层上设置有第一凹槽；芯片，所述芯片设置在所述第一凹槽中；第二散热层，所述第二散热层设置在所述第一散热层靠近所述基底的一侧；烧结层，所述烧结层设置在所述第二散热层远离所述基底的一侧，所述烧结层的材料包括铜。本申请的技术方案能够解决相关技术中芯片封装结构存在散热性差的问题。
本发明授权芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 基底； 第一散热层，所述第一散热层设置在所述基底上，且所述第一散热层上设置有第一凹槽； 芯片，所述芯片设置在所述第一凹槽中； 第二散热层，所述第二散热层设置在所述第一散热层靠近所述基底的一侧； 烧结层，所述烧结层设置在所述第二散热层远离所述基底的一侧；其中，所述烧结层的材料包括铜； 所述烧结层远离所述第二散热层的一侧设置有第二凹槽，所述第一散热层位于所述第二凹槽中； 和或，所述第二散热层远离所述基底的一侧设置有第三凹槽，所述烧结层位于所述第三凹槽中； 所述芯片封装结构还包括：第一导热层、导电部，以及第二导热层；所述导电部设置在所述基底与所述第一导热层之间； 所述第一导热层设置在导电部与所述第二导热层之间； 所述第二导热层包括连接为一体的第一导热部和第二导热部，所述第一导热部设置在所述芯片远离所述第二散热层的一侧，所述第二导热部设置在所述第一导热部与所述基底之间。
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