华中科技大学刘欢获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119804596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411985418.2，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法是由刘欢;李华曜;唐艳婷;邢颖颖;毛镕煜设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于气体传感器技术领域，具体公开了一种基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法。所述气体传感器件在衬底上依次垂直层叠有栅极绝缘层、沟道有源层以及源漏层，所述源漏层包括在水平方向的不同位置设置、且相互绝缘的源电极和漏电极，所述源电极作为所述气体传感器件的输出端；在源漏层之上还依次设置有：气敏薄膜，位于所述源电极和漏电极在水平方向的投影之间的部位，且与源电极和漏电极均通过介质隔离；顶电极，作为所述气体传感器件的输入端，与漏电极在水平方向的投影重合或部分重合，且与气敏薄膜、源电极和漏电极均通过介质隔离。
本发明授权基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜场效应晶体管的气体传感器件，包括依次在衬底上层叠设置的栅极绝缘层、沟道有源层以及源漏层，所述源漏层包括在水平方向的不同位置设置、且相互绝缘的源电极和漏电极，所述源电极作为所述气体传感器件的输出端，其特征在于，所述沟道有源层采用金属氧化物半导体材料或者低维半导体材料； 在源漏层之上还依次设置有： 气敏薄膜，位于所述源电极和漏电极在水平方向的投影之间的部位，且与源电极和漏电极均通过介质隔离； 顶电极，作为所述气体传感器件的输入端，与漏电极在水平方向的投影重合或部分重合，且与气敏薄膜、源电极和漏电极均通过介质隔离。
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