买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119738527B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411860186.8，技术领域涉及：G01N33/00；该发明授权单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法是由王鸣;孙丹静设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法，所属直拉硅单晶技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将硅片等分成角度为30°的12个扇形区域。第二步：将硅片划分成半径分别为zone1直径为0～50mm、zone2直径为50mm～100mm、zone3直径为100mm～150mm的三个环形区域。第三步：根据第一步和第二步划分方式定义出各区的坐标界限。第四步：根据颗粒检测的坐标文件，将所有Defect归属到各区域。第五步：对各区域Defect数量进行计数。第六步：对各区域Defect数量去掉最大值和最小值后分别算出Zone1、Zone2、Zone3的均值和标准差。第七步：判断某个Zone为COP模式的标准为标准差均值0.20，反之则为加工缺陷。解决实际生产中失效模式识别困难与产品处置不当的问题。

本发明授权单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅抛光片COP与加工缺陷的自动识别方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：将硅片等分成角度为30°的12个扇形区域； 第二步：将硅片划分成zone1直径为0～50mm、zone2直径为50mm～100mm、zone3直径为100mm～150mm的三个环形区域； 第三步：根据第一步和第二步划分方式定义出各区的坐标界限； 第四步：根据颗粒检测的坐标文件，将所有Defect归属到各区域； 第五步：对各区域Defect数量进行计数； 第六步：对各区域Defect数量去掉最大值和最小值后分别算出Zone1、Zone2、Zone3的均值和标准差； 第七步：某个ZoneCOP模式的判定标准为标准差除以均值0.20，反之则为加工缺陷；Zone1、Zone3中的其中之一满足COP判定标准，则该枚硅片为COP模式；进一步判定COP的细分模式，对COP模式的细分有助于拉晶工艺的优化与调整； 当Zone1判定为COP模式的情况，判定为中心聚集型COP模式；当Zone3判定为COP模式的情况，判定为外环对称分布型COP；当Zone1和Zone3满足COP判定标准，Zone2不满足COP判定标准，则为中心聚集和外环对称分布型COP模式；当Zone1、Zone2、Zone3均满足COP判定标准，则判定为满面COP模式；当Zone1、Zone3不满足COP判定标准，Zone2满足COP判定标准时，判定为加工缺陷；当Zone1、Zone3不满足COP判定标准，Zone2满足加工缺陷标准时，判定为加工缺陷。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，其通讯地址为：311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。