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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利对重掺Ph产品进行预先识别外延堆垛层错的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119715588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411708868.7，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权对重掺Ph产品进行预先识别外延堆垛层错的方法是由吴瑶设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本对重掺Ph产品进行预先识别外延堆垛层错的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种对重掺Ph产品进行预先识别外延堆垛层错的方法，所属半导体外延检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：准备正常和异常批次各2组共4组抛光片样品参与实验。第二步：选用A组和C组及D组中的各1枚样品进行第一次热氧化后腐蚀测试。第三步：选用B组和C组及D组中的另外各1枚样品进行第二次热氧化后腐蚀测试。第四步：选取在正常和异常的2组样品，再分别用不同的热氧化条件和腐蚀测试。第五步：进行显微镜检查。第六步：通过预先识别有堆垛层错发生的硅片。预先识别重掺Ph产品因热履历差异导致的有些位置硅片外延加工后满面堆垛层错的现象。避免需要通过外延加工才能识别到异常而产生产品浪费的情况。

本发明授权对重掺Ph产品进行预先识别外延堆垛层错的方法在权利要求书中公布了：1.一种对重掺Ph产品进行预先识别外延堆垛层错的方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：准备正常和异常批次各2组共4组抛光片样品参与实验，分别命名为A组，B组，C组，D组；正常批次的2组为A组和B组，异常批次的2组为C组和D组； 第二步：选用A组和C组及D组中的各1枚样品进行第一次热氧化后腐蚀测试； 第一次热氧化后腐蚀测试，热氧化的温度是1000℃并进行8小时保温，腐蚀液是Secco液，腐蚀时间是30分钟，腐蚀完成后进行显微镜检测，A组样品表面和断面均无腐蚀坑，C组和D组样品表面和断面均满面腐蚀坑； 第三步：选用B组和C组及D组中的另外各1枚样品进行第二次热氧化后腐蚀测试； 第二次热氧化后腐蚀测试，热氧化的温度是1000℃并进行8小时保温，腐蚀液是Secco液，腐蚀时间是30分钟，腐蚀完成后进行显微镜检测，B组样品表面和断面均无腐蚀坑，C组和D组样品表面和断面均满面腐蚀坑； 第四步：选取在正常和异常的2组样品，再分别用不同的热氧化条件，采用温度为1000℃分别进行2小时、4小时和12小时的热氧化，Secco液腐蚀30分钟； 第五步：进行显微镜检查，好的硅片腐蚀后满面腐蚀坑，坏的硅片正常； 第六步：通过预先识别有堆垛层错发生的硅片，并采取对策，将有异常的硅片筛选不继续进行外延加工流动，正常硅片进行继续外延加工流动； 用机械减薄和氧化剥层法获得表层硅厚度约0.4μm的薄膜，对薄膜用Secco腐蚀液腐蚀并分析了缺陷种类，计量了缺陷密度；用波长为0.5145μm的激光Raman谱测量了薄膜和界面附近的应力密度；结果表明薄膜的缺陷为氧化层错，密度约1.8×103cm2，总的缺陷密度为2.6×103cm2，张应力密度δ≤5×103Ncm2。

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