合肥安德科铭半导体科技有限公司张学奇获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥安德科铭半导体科技有限公司申请的专利一种Nb前驱体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119708046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411926904.7,技术领域涉及:C07F9/00;该发明授权一种Nb前驱体及其制备方法和应用是由张学奇;李丽君;张震;扈静;李建恒设计研发完成,并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Nb前驱体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于半导体加工技术领域,具体公开了一种Nb前驱体,所述Nb前驱体的化学结构由化学式Ⅰ表示:化学式ⅠMNR0[XCR1R2CR3R4aQR5R6]3。本发明提供一种Nb前驱体,该Nb前驱体不仅具有更好的热稳定性,能够满足更高温度的沉积需求,且该Nb前驱体在薄膜沉积中,薄膜中的C、N杂质含量更少。
本发明授权一种Nb前驱体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种Nb前驱体,其特征在于,所述Nb前驱体的化学结构由化学式Ⅰ表示: 化学式Ⅰ MNR0[XCR1R2CR3R4aQR5R6]3; 其中,M为Nb; X选自O; Q选自N; R0选自C3-C5的烷基; R1-R6各自独立地选自H、C1-C8的烷基,且R1、R2、R3、R4不同时为H;a为1。
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