浙江大学郑泽杰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种存储芯片结构以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119697997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411781018.X，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种存储芯片结构以及制备方法是由郑泽杰;何世坤;黄科杰设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储芯片结构以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储芯片结构以及制备方法，该结构包括所述底部金属上面设置有介质层，所述介质层上开设有底部通孔，且所述底部通孔被导电材料填满形成底部通孔结构；所述存储位元设置于所述底部通孔结构上面，所述顶部金属设置于所述存储位元上方；在制备所述存储位元时，先刻蚀所述介质层，刻蚀后的介质层与底部通孔结构存在高度差；在介质层和底部通孔结构上沉积薄膜，再在介质层顶部的薄膜上沉积介质材料并平坦化，使介质层顶部的薄膜上的介质材料的上表面与底部通孔结构顶部的薄膜的上表面齐平；光刻刻蚀掉底部通孔结构上面部分区域的薄膜，形成存储位元。本发明获得存储位元时，减少存储位元暴露面积，降低薄膜反溅造成的存储位元性能问题。
本发明授权一种存储芯片结构以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片结构，其特征在于，包括底部金属、存储位元和顶部金属； 所述底部金属上面设置有介质层，所述介质层上开设有底部通孔，且所述底部通孔被导电材料填满形成底部通孔结构； 所述存储位元设置于所述底部通孔结构上面，所述顶部金属设置于所述存储位元上方； 在制备所述存储位元时，先刻蚀所述介质层，刻蚀后的介质层与底部通孔结构存在高度差；在介质层和底部通孔结构上沉积薄膜，再在介质层顶部的薄膜上沉积介质材料并平坦化，使介质层顶部的薄膜上的介质材料的上表面与底部通孔结构顶部的薄膜的上表面齐平；光刻刻蚀掉底部通孔结构上面部分区域的薄膜，形成存储位元。
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