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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利多芯片激光器阵列焊接装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119658235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510086075.4，技术领域涉及：B23K37/00；该发明授权多芯片激光器阵列焊接装置及方法是由郑婉华;刘靖;王宇飞;齐爱谊设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本多芯片激光器阵列焊接装置及方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种多芯片激光器阵列焊接装置及方法，涉及半导体激光器技术领域，该装置包括：底座，用于放置待焊接激光器阵列；前端定位块，用于从其中一端定位待焊接激光器阵列；后端定位块，用于配合前端定位块，从另一端定位待焊接激光器阵列；侧挡定位块，用于从两侧定位待焊接激光器阵列；阵列压块，用于从上端定位待焊接激光器阵列；其中，待焊接激光器阵列包括交替设置的半导体激光芯片和钨铜热沉，半导体激光芯片和钨铜热沉的上端铺设有金锡合金焊片，金锡合金焊片的上端交替设置有氮化铝陶瓷和氧化锆陶瓷，氮化铝陶瓷的数量和放置位置与钨铜热沉的数量和放置位置一一对应，氮化铝陶瓷的焊接面被配置为金属层，非焊接面被配置为绝缘层。

本发明授权多芯片激光器阵列焊接装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片激光器阵列焊接方法，其中，所述多芯片激光器阵列包括交替设置的半导体激光芯片和钨铜热沉，所述钨铜热沉和所述半导体激光芯片的焊接面设有金锡焊料层，其特征在于，所述方法包括： 获取待焊接激光器阵列； 将所述待焊接激光器阵列放置于多芯片激光器阵列焊接装置的预设位置处，其中，所述多芯片激光器阵列焊接装置包括： 底座，用于放置待焊接激光器阵列； 前端定位块，设于所述底座的其中一端，用于从其中一端定位所述待焊接激光器阵列； 后端定位块，活动设于所述底座的另一端，用于配合所述前端定位块，从另一端定位所述待焊接激光器阵列； 侧挡定位块，设于所述底座的两侧，用于从两侧位置定位所述待焊接激光器阵列； 阵列压块，设于所述待焊接激光器阵列的上端，用于从上端定位所述待焊接激光器阵列； 所述半导体激光芯片和所述钨铜热沉的上端铺设有整片金锡合金焊片，金锡合金焊片尺寸与半导体激光芯片和钨铜热沉组合后一致，所述金锡合金焊片的上端交替设置有氮化铝陶瓷和氧化锆陶瓷，所述氮化铝陶瓷的数量和放置位置与所述钨铜热沉的数量和放置位置一一对应，所述氮化铝陶瓷的焊接面被配置为金属层，非焊接面被配置为绝缘层； 利用所述多芯片激光器阵列焊接装置对所述待焊接激光器阵列进行定位处理； 对定位处理后的待焊接激光器阵列进行焊接处理，其中，所述金锡合金焊片在高温下变为熔融状态流向金属层，在无金属层位置将自动断开，完成半导体激光芯片与钨铜热沉、钨铜热沉与氮化铝陶瓷之间的焊接； 冷凝后去除氧化锆陶瓷，得到焊接后的多芯片激光器阵列。

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