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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请的专利硅片表面金属离子采集装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119643215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411778613.8，技术领域涉及：G01N1/14；该发明授权硅片表面金属离子采集装置及方法是由何刚;赵莉珍;王刚设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅片表面金属离子采集装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅片表面金属离子采集装置及方法，属于半导体制造技术领域。硅片表面金属离子采集装置，包括：至少一组机械手臂，每组机械手臂包括镜像设置的一对载台，所述载台用于固定硅片；扫描组件，包括主体结构以及设置在所述主体结构一端、镜像设置的一对扫描头，所述扫描头与所述载台一一对应，所述主体结构内部设置有用以传输扫描液的扫描管路，所述扫描管路与两个所述扫描头的出液口连通；扫描液储存结构，用于通过压力作用将扫描液通过所述扫描管路输送至所述出液口，或者，通过吸力作用将所述扫描液从所述出液口通过所述扫描管路进行回收。本发明能够提高对硅片进行扫描的效率。

本发明授权硅片表面金属离子采集装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片表面金属离子采集装置，其特征在于，包括： 至少一组机械手臂，每组机械手臂包括镜像设置的一对载台，所述载台用于固定硅片； 扫描组件，包括主体结构以及设置在所述主体结构一端、镜像设置的一对扫描头，所述扫描头与所述载台一一对应，所述主体结构内部设置有用以传输扫描液的扫描管路，所述扫描管路与两个所述扫描头的出液口连通； 扫描液储存结构，用于通过压力作用将扫描液通过所述扫描管路输送至所述出液口，或者，通过吸力作用将所述扫描液从所述出液口通过所述扫描管路进行回收； 所述扫描头包括设置在所述出液口处的两片合页，在所述扫描液储存结构通过压力作用将扫描液通过所述扫描管路输送至所述出液口时，所述两片合页在压力作用下张开，所述扫描液从所述扫描管路流出至所述出液口；在所述扫描液储存结构通过吸力作用将所述扫描液从所述出液口通过所述扫描管路进行回收时，所述两片合页在吸力作用下闭合，封闭所述出液口； 所述扫描头还设置有包围所述两片合页的一圈气孔以及用于向所述气孔通入气体的气体供给组件，所述气孔的出气方向朝向所述出液口中心，在所述扫描液从所述扫描管路流出至所述出液口时，所述气体供给组件向所述气孔通入气体使得扫描液在气流作用下聚集在所述出液口中心。

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