浙江创芯集成电路有限公司吴建明获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利功率器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626892B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411305420.0，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权功率器件及其形成方法是由吴建明设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种功率器件及其形成方法，功率器件的形成方法包括：提供基底，所述基底上具有外延层；在所述外延层上形成介电层；在所述介电层内形成与所述外延层的顶部相接触的第一对准结构；在所述介电层上形成金属接触层；在所述金属接触层内形成露出所述第一对准结构的第一开口；形成填充所述第一开口，且覆盖所述金属接触层顶部的抗刻蚀层，其中，所述抗刻蚀层对探测光的透光率大于所述金属接触层对所述探测光的透光率。采用上述技术方案，能够提高对准结构的探测精度。
本发明授权功率器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有外延层； 在所述外延层上形成介电层； 在所述介电层内形成与所述外延层的顶部相接触的第一对准结构； 在所述介电层上形成金属接触层； 在所述金属接触层内形成露出所述第一对准结构的第一开口； 形成填充所述第一开口，且覆盖所述金属接触层顶部的抗刻蚀层，其中，所述抗刻蚀层对探测光的透光率大于所述金属接触层对所述探测光的透光率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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