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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119578194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411619597.8，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法是由董玉凤;张战刚;雷志锋;陈义强;李鸿德;叶结锋设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法在说明书摘要公布了：本申请涉及粒子沉积和半导体抗辐射分析技术领域，公开了一种基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法，依次包括：材料和粒子源设置，能量沉积计分器的使用，单粒子事件的统计，计算软错误率，以及输出和数据分析。采用本申请，大幅地减少实地实验的需求，节省了实验所需的时间和成本。并且，通过仿真方法，设计人员能够更高效地计算α粒子在半导体器件中的能量沉积，并得到α粒子的软错误率，可依据此数据进行半导体器件的抗辐射加固设计，进而提高器件的抗辐射性能和可靠性。

本发明授权基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于蒙特卡罗粒子输运仿真工具的α粒子能量沉积计算方法，其特征在于，依次包括以下步骤： 材料和粒子源设置，包括：在蒙特卡罗粒子输运仿真工具中通过材料部分定义半导体器件的几何参数和物理参数，在源部分定义α粒子源； 能量沉积计分器的使用，包括：利用蒙特卡罗粒子输运仿真工具中的沉积板块对半导体器件内的能量沉积进行监测，其中，所述沉积板块中设置有网格，通过计分器统计和收集模拟过程中α粒子在整个网格中每个位置的能量沉积情况，得到能量沉积数据； 单粒子事件的统计，包括：在蒙特卡罗粒子输运仿真工具中设定软错误的临界能量阈值，当α粒子在一事件中沉积的能量达到或超过该临界能量阈值时，记录为发生了一次单粒子事件； 计算软错误率，包括：基于单粒子事件得到仿真过程中的软错误率； 输出和数据分析，包括：仿真过程完成后，输出各个粒子事件在半导体器件中不同位置的能量沉积数据，和半导体器件在不同环境下对应的软错误风险； 所述软错误率包括软错误发生概率，所述软错误发生概率通过以下公式计算得到： 其中，为记录的累积达到或超过所述临界能量阈值的事件数，为总事件数； 所述软错误率还包括实际软错误率，所述实际软错误率通过以下公式计算得到： 其中，为单位面积上的α粒子通量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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