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龙图腾网获悉常州大学申请的专利具有浮置P和N型埋层的IGBT结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411574901.1，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权具有浮置P和N型埋层的IGBT结构是由杨迪;刘宪云设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有浮置P和N型埋层的IGBT结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有浮置P和N型埋层的IGBT结构，集电极、P型衬底、n型缓冲区和n型漂移区从下到上依次设置；第一浮置P区、第一栅极、P体区、第二栅极、第二浮置P区自左至右依次与n型漂移区的上表面电接触；n型载流子埋层埋在P体区内；第一N+源区和第二N+源区分别设置在第一栅极和第二栅极之间；栅极氧化层下表面分别与浮置P区、栅极的上表面电接触；发射极下表面分别与第一栅极氧化层、第一N+源区、第二N+源区、P体区的凸起部、第二N+源区和第二栅极氧化层的上表面电接触。本发明可以提高耐压能力，降低了导通损耗和开关损耗，从而提高可靠性和使用寿命。

本发明授权具有浮置P和N型埋层的IGBT结构在权利要求书中公布了：1.一种具有浮置P和N型埋层的IGBT结构，其特征在于， 包括： 集电极1、P型衬底2、n型缓冲区3和n型漂移区4，从下到上依次设置； 第一浮置P区5、第一栅极6、P体区7、第二栅极8、第二浮置P区9，自左至右依次与所述n型漂移区4的上表面电接触，所述第一浮置P区5的填充深度大于所述第一栅极6的填充深度，所述第二浮置P区9的填充深度大于所述第二栅极8的填充深度； n型载流子埋层10，埋在所述P体区7内； 第一N+源区11和第二N+源区12，分别设置在所述第一栅极6和所述第二栅极8之间，并被所述P体区7朝上凸起的凸起部隔开，所述第一N+源区11靠近所述第一栅极6，所述第二N+源区12靠近所述第二栅极8； 第一栅极氧化层13，其下表面分别与所述第一浮置P区5、第一栅极6的上表面电接触； 第二栅极氧化层14，其下表面分别与所述第二浮置P区9、第二栅极8的上表面电接触； 发射极15，其下表面分别与所述第一栅极氧化层13、第一N+源区11、所述第二N+源区12、所述P体区7的凸起部、所述第二N+源区12和所述第二栅极氧化层14的上表面电接触。

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