盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司张山获国家专利权
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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司申请的专利硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119506846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311073184.X,技术领域涉及:C23C16/50;该发明授权硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法是由张山;金京俊;王晖;谢素兰;陈宇设计研发完成,并于2023-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。硅片托举环可装设于薄膜沉积腔室内,薄膜沉积腔室内设有用于承载硅片进行薄膜沉积的加热台,硅片托举环具有可伸缩内径;在薄膜沉积期间,硅片托举环被配置为:可伸缩内径扩张至大于硅片直径和加热台直径的第一内径,并不接触硅片和加热台;在托举硅片期间,硅片托举环被配置为:第一内径收缩至小于硅片直径的第二内径,并被移动至硅片的底部,以托举硅片。本发明通过硅片托举环使硅片在腔体内进行多次旋转、多次沉积,实现了硅片薄膜沉积厚度均匀、生产效率高的效果。
本发明授权硅片托举环、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法在权利要求书中公布了:1.一种硅片托举环,所述硅片托举环可装设于薄膜沉积腔室内,所述薄膜沉积腔室内设有用于承载硅片进行薄膜沉积的加热台,其特征在于, 所述硅片托举环具有可伸缩内径; 在薄膜沉积期间,所述硅片托举环被配置为:所述可伸缩内径扩张至大于硅片直径和加热台直径的第一内径,并不接触所述硅片和所述加热台; 在托举硅片期间,所述硅片托举环被配置为:所述第一内径收缩至小于所述硅片直径的第二内径,并被移动至所述硅片的底部,以托举所述硅片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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