南京大学周峰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411671633.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法是由周峰;张迈;陆海;徐尉宗;周东;任芳芳设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaNHEMT及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、钝化层、沟道层、势垒层和电极结构层，电极结构层包括栅极结构以及设置于栅极结构两侧的源极结构和漏极结构，栅极结构呈条状且沿第一方向设置于势垒层上方，源极结构和漏极结构与沟道层连接，栅极结构和漏极结构之间设置有成组布置的多个矩形P型氮化镓层，成组布置的多个矩形P型氮化镓层沿第一方向均匀间隔布置且通过金属线连接，金属线顶部连接有负电位极，势垒层到负电位极之间的区域填充有介质层。能够解决传统HEMT因辐照后发生空穴积聚而影响器件正常开关能力和过电压鲁棒性退化的技术问题。
本发明授权一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaNHEMT，其特征在于，包括自下而上设置的衬底层1、氮化镓层2、钝化层3、沟道层4、势垒层5和电极结构层6，所述电极结构层6包括栅极结构61以及设置于所述栅极结构61两侧的源极结构62和漏极结构63，所述栅极结构61呈条状且沿第一方向设置于所述势垒层5上方，所述源极结构62和所述漏极结构63均与所述沟道层4连接，所述栅极结构61和所述漏极结构63之间设置有成组布置的多个矩形P型氮化镓层64，成组布置的所述多个矩形P型氮化镓层64沿所述第一方向均匀间隔布置且顶部通过金属线65连接，所述金属线65顶部连接设置有负电位极66，所述势垒层5到所述负电位极66之间的区域填充有介质层7。
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