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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利等离子体产生设备、HDP CVD设备及膜厚优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119450882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411597506.5，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权等离子体产生设备、HDP CVD设备及膜厚优化方法是由姜赟康;孙宏博设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体产生设备、HDP CVD设备及膜厚优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了等离子体产生设备、HDPCVD设备及膜厚优化方法。等离子体产生设备包括：顶部线圈、侧部线圈、屏蔽装置、电磁铁装置以及电源。所述顶部线圈位于等离子体腔室上方，产生第一电磁场；所述侧部线圈围绕所述等离子体腔室的侧面设置，产生第二电磁场；所述屏蔽装置罩住所述顶部线圈、所述侧部线圈以及所述等离子体腔室的上部；所述电磁铁装置对称分布在所述屏蔽装置外围两侧，并由所述电源通电，产生第三电磁场；其中，所述电源的导通与关断、电流大小以及方向为可调节，以调整第三电磁场；膜厚受第一电磁场、第二电磁场以及第三电磁场叠加后的总电磁场调节。

本发明授权等离子体产生设备、HDP CVD设备及膜厚优化方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体产生设备，其特征在于，包括： 顶部线圈、侧部线圈、屏蔽装置、电磁铁装置以及电源； 所述顶部线圈位于一等离子体腔室上方，产生第一电磁场； 所述侧部线圈围绕所述等离子体腔室的侧面设置，产生第二电磁场； 所述屏蔽装置罩住所述顶部线圈、所述侧部线圈以及所述等离子体腔室的上部； 所述电磁铁装置对称分布在所述屏蔽装置外围两侧，并由所述电源通电，产生第三电磁场； 其中，所述电源的导通与关断、电流的大小以及方向为可调节，以调整第三电磁场；膜厚受第一电磁场、第二电磁场以及第三电磁场叠加后的总电磁场调节； 所述电磁铁装置中各电磁铁的所通电流的导通或关断、所通电流的方向性和电流大小根据膜厚分布需求进行调整，从而调整第三电磁场分布，进而影响所述总电磁场以将膜厚调整至预设值； 当所述膜厚分布出现异常后，则给所述电源施加正向电流，产生正向电磁场，随后判断所述膜厚是否朝膜厚期望值方向改善，若改善，则保持电流方向不变，并进一步调整所述电流大小，以符合该膜厚期望值；若未改善，则给所述电源施加反向电流，产生负向电磁场，并调整电流大小，以符合该膜厚期望值。

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