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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利近红外响应增强的薄层纳米阵列结构InGaAsP光电阴极组件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411372439.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权近红外响应增强的薄层纳米阵列结构InGaAsP光电阴极组件及其制备方法是由张益军;李诗曼;杨鲁浩;高毅;徐卓;过般响;钱芸生设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本近红外响应增强的薄层纳米阵列结构InGaAsP光电阴极组件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种近红外响应增强的薄层透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件，该光电阴极结构自下而上为In0.88Ga0.12As0.26P0.74发射层、In0.52Al0.48As窗口层、Si3N4增透层以及玻璃。In0.52Al0.48As窗口层中包含平面层和纳米结构阵列两部分，并使用Si3N4介质填充纳米结构间的空隙，纳米结构阵列部分采用若干周期分布的圆柱或方柱结构，通过调整纳米阵列结构的周期、形状、尺寸和排列方式，可实现光电阴极组件整体对近红外特定波长处的吸收率的提高，从而提高透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极在近红外特定波长处的量子效率。本发明还给出了兼容新兴的微纳加工工艺与传统反转工艺的In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件制备工艺流程。

本发明授权近红外响应增强的薄层纳米阵列结构InGaAsP光电阴极组件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种近红外响应增强的薄层纳米阵列结构InGaAsP光电阴极组件，其特征在于，包括自下而上设置的In0.88Ga0.12As0.26P0.74发射层1、In0.52Al0.48As窗口层2、Si3N4增透层3以及玻璃4，其中，所述In0.52Al0.48As窗口层2包括In0.52Al0.48As平面层和设置在In0.52Al0.48As平面层的In0.52Al0.48As纳米结构阵列； 所述In0.88Ga0.12As0.26P0.74发射层1材料为p型掺杂材料，掺杂浓度为1×1018~1×1019cm-3，厚度为500~3000nm，所述In0.52Al0.48As窗口层2为p型掺杂材料，掺杂浓度为1×1018~1×1019cm-3，厚度为100~600nm； 使用Si3N4介质填充In0.52Al0.48As纳米结构阵列中的空隙，并高出纳米阵列结构设定高度，作为Si3N4增透层3； Si3N4增透层厚度为2k+1λ4n，其中n为折射率，k为非负整数，λ为目标波长； 所述In0.52Al0.48As纳米结构阵列为周期性排列在In0.52Al0.48As平面层上的圆柱或方柱结构，圆柱结构排列周期为200~800nm，圆柱高度为50~500nm，直径为100~600nm；方柱结构排列周期为200~800nm，方柱高度为50~500nm，宽度为100~600nm。

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