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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种低温等离子体射流发生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411276451.8，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种低温等离子体射流发生装置是由李雨泰;石羿君;文清皓;牛思源;周之力;杨国林;胡琴;胡建林;张志劲;蒋兴良设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温等离子体射流发生装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温等离子体射流发生装置，应用于等离子体应用领域，包括射流发生装置主体；射流发生装置主体为多个不同直径的空心介质管形成的多层套管结构，且相邻空心介质管间存在间隙；每个空心介质管处均对应设置有导电电极，以使沿空心介质管的径向，相邻的导电电极之间均存在电位差；相邻两个导电电极间均存在绝缘隔离导电电极的空心介质管；射流发生装置主体包括射流出口和气体入口；气体入口与射流出口导通，且气体入口与射流出口的导通路径中，存在因相邻导电电极之间的电位差产生的电场，空心介质管对电场具有穿透性。本发明将产生等离子体并射出的结构，分隔设置为多个分离结构，能够提高等离子体射流的整体截面积。

本发明授权一种低温等离子体射流发生装置在权利要求书中公布了：1.一种低温等离子体射流发生装置，其特征在于，包括射流发生装置主体； 所述射流发生装置主体包括多个不同直径的空心介质管形成的多层套管结构，且相邻所述空心介质管间存在间隙； 每个所述空心介质管处均对应设置有导电电极，以使沿所述空心介质管的径向，相邻的所述导电电极之间均存在电位差；相邻两个所述导电电极间均存在绝缘隔离所述导电电极的所述空心介质管； 所述射流发生装置主体包括设置在多个所述空心介质管，沿轴向的至少一端的射流出口，以及用于向所述间隙通入反应气体的气体入口；所述气体入口与所述射流出口导通，且所述气体入口与所述射流出口的导通路径中，存在因相邻所述导电电极之间的电位差产生的电场，所述空心介质管对所述电场具有穿透性； 所述导电电极设置在对应的所述空心介质管的侧表面； 沿所述空心介质管的径向，全部相邻的所述导电电极之间的电位差均相同； 全部相邻所述空心介质管之间的间隙均相同。

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