上海大学殷录桥获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种基于电流体打印的Micro-LED全彩显示器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411299976.3，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种基于电流体打印的Micro-LED全彩显示器制备方法是由殷录桥;张建华;王昕怡设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电流体打印的Micro-LED全彩显示器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于电流体打印的Micro‑LED全彩显示器制备方法，涉及显示器制备技术领域。所述制备方法包括：在玻璃表面刻蚀圆柱形凹槽，并利用电流体打印技术，在该玻璃表面打印BM方格线条，制备挡光矩阵层，其中凹槽作为线条交叉点将被黑色光刻胶填充，再在方格内打印量子点，制备全彩量子点膜层；在氮气氛围下通过照射全彩量子点膜层的样片进行固化；利用等离子体增强化学气相沉积在样片表面制备SiN封装层；在LED外延片表面旋涂一层UV树脂胶后，使用键合机进行像素位置对准，之后照射样片进行固化。本发明能够利用电流体打印技术在Micro‑LED显示器上精确沉积量子点材料，从而实现高效的颜色转换和全彩显示。
本发明授权一种基于电流体打印的Micro-LED全彩显示器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电流体打印的Micro-LED全彩显示器制备方法，其特征在于，包括： 在玻璃表面刻蚀圆柱形凹槽，并利用电流体打印技术，在刻有圆柱形凹槽的玻璃表面打印BM方格线条，制备挡光矩阵层，其中凹槽作为线条交叉点将被黑色光刻胶填充，再在方格内打印量子点，制备全彩量子点膜层； 利用电流体打印技术，在BM层和量子点膜层进行处理，制备全彩量子点膜层； 在氮气氛围下通过照射所述全彩量子点膜层的样片进行固化； 利用等离子体增强化学气相沉积在样片表面制备SiN封装层； 在LED外延片表面旋涂一层UV树脂胶，不固化； 使用键合机将全彩量子点膜层和Micro-LED芯片的像素位置对准，之后照射样片进行固化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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