买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310620856.8，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体结构及其制作方法是由刘小平;徐丹;章慧;陈小龙;王春阳;王少伟设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，半导体结构包括衬底、深沟槽电容器、第一刻蚀孔、第二刻蚀孔和第一空气隙，第一空气隙位于深沟槽电容器的第一介质层和第二介质层之间，第一空气隙自深沟槽电容器的第二电极层暴露在第一刻蚀孔中的表面向第二电极层内部凹陷，且第一空气隙使第一介质层和第二介质层的部分表面暴露在第一空气隙内。本公开中，通过暴露在第一刻蚀孔中的第二电极层中形成第一空气隙，使第二电极层的边缘与第一电极层的边缘的间距增大，增强了第一电极层的边缘与第二电极层之间的壁垒，降低或避免第一电极层的边缘与第二电极层的之间产生漏电流。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底，所述衬底的顶面设有延伸至所述衬底内部的沟槽； 深沟槽电容器，包括依次随形堆叠在所述沟槽的内表面以及所述衬底的顶面的第一电极层、第一介质层、第二电极层和第二介质层； 第一刻蚀孔和第二刻蚀孔，所述第一刻蚀孔沿所述深沟槽电容器的深度方向依次贯穿所述第二介质层、第二电极层和第一介质层； 所述第二刻蚀孔沿所述深沟槽电容器的深度方向贯穿所述第二介质层； 层间介质层，所述层间介质层覆盖所述深沟槽电容器，并填满所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔； 第一空气隙，所述第一空气隙位于所述第一介质层和所述第二介质层之间，且所述第一空气隙位于所述第二电极层和所述层间介质层之间，所述第一空气隙自所述第二电极层暴露在所述第一刻蚀孔中的表面向所述第二电极层内部凹陷，且所述第一空气隙使所述第一介质层和所述第二介质层的部分表面暴露在所述第一空气隙内； 其中，所述第一电极层的厚度大于所述第二电极层的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。