上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司何晨烨获国家专利权
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龙图腾网获悉上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种三维光电集成封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410871899.8，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权一种三维光电集成封装结构及其形成方法是由何晨烨设计研发完成，并于2024-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维光电集成封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维光电集成封装结构及其形成方法，形成方法包括：在载片上正装布置光芯片及保护结构，其中保护结构与光芯片之间存在空隙，光芯片正面的边缘具有光口，且光口与保护结构相对；在光芯片上倒装设置电芯片，电芯片有一部分伸出越过空隙位于保护结构的上方；形成包覆保护结构、光芯片和电芯片的薄膜层；形成塑封层，塑封层一体塑封保护结构、光芯片和电芯片，然后减薄电芯片上的塑封层和薄膜层，露出电芯片；去除载片，并沿着保护结构与光芯片之间的空隙切割电芯片以露出光口；以及将光纤与光芯片的光口耦合。本发明通过真空压膜的方式形成空腔用于光口保护，不占用芯片有源区面积，可大幅提高电芯片与光芯片的面积比。
本发明授权一种三维光电集成封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维光电集成封装结构的形成方法，其特征在于，包括： 在载片上正装布置光芯片及保护结构，其中保护结构与光芯片之间存在空隙，光芯片正面的边缘具有光口，且光口与保护结构相对； 在光芯片上倒装设置电芯片，电芯片有一部分伸出越过空隙位于保护结构的上方； 形成包覆保护结构、光芯片和电芯片的薄膜层； 形成塑封层，塑封层一体塑封保护结构、光芯片和电芯片，然后减薄电芯片之上的塑封层和薄膜层，露出电芯片； 去除载片，并沿着保护结构与光芯片之间的空隙切割电芯片以露出光口；以及 将光纤与光芯片的光口耦合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，其通讯地址为：200000 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢801室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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