丹佛斯硅动力有限责任公司霍尔格·乌尔里希获国家专利权
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龙图腾网获悉丹佛斯硅动力有限责任公司申请的专利模制功率模块和功率模块组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118679564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380020573.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权模制功率模块和功率模块组件是由霍尔格·乌尔里希;克劳斯·奥尔森;奥勒·米尔费尔德;汉斯·彼得·博伊森设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本模制功率模块和功率模块组件在说明书摘要公布了：一种模制功率模块2包括：‑衬底12，所述衬底包括上导电层5、6；‑至少一个半导体10、10’，所述至少一个半导体位于衬底12的上导电层5、6上；‑模制部分30，所述模制部分覆盖至少一个半导体10。模制部分30包括至少两个从所述模制部分30的剩余区域突出的凸丘部18、18’、18”，其中所述凸丘部18、18’、18”彼此间隔开。
本发明授权模制功率模块和功率模块组件在权利要求书中公布了：1.一种模制功率模块2，包括： 衬底12，所述衬底包括绝缘体4和位于所述绝缘体4上的上导电层5、6，其中，暴露在所述模制功率模块2的表面处的所述衬底12包括多个分离部分40、40’，其中，每个分离部分40、40’至少部分地被构成导热材料42的存储空间的腔体44包围； 至少一个半导体10、10’，所述至少一个半导体位于所述衬底12的所述上导电层5、6上； 一个或多个端子14、15、16、17，所述一个或多个端子电连接到所述上导电层5、6并从所述上导电层突出；以及 模制部分30，所述模制部分覆盖所述至少一个半导体，其中，所述模制部分30包括至少两个从所述模制部分30的剩余区域突出的凸丘部18、18’、18”，其中，所述凸丘部18、18’、18”彼此间隔开， 其特征在于，所述腔体44与至少部分地围绕所述腔体44的存储结构48流体连通，其中，所述存储结构48被构造成从所述腔体44接收导热材料42并将导热材料42返回到所述腔体44。
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