中国科学院福建物质结构研究所岳红军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所申请的专利一种硫硒共掺杂的氟化碳材料、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118495518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410563245.9，技术领域涉及：C01B32/10；该发明授权一种硫硒共掺杂的氟化碳材料、制备方法及其应用是由岳红军;陈慧鑫;邹岩;闫柯设计研发完成，并于2024-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硫硒共掺杂的氟化碳材料、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硫硒共掺杂的氟化碳材料、制备方法及其应用，属于氟化碳材料领域，一种硫硒共掺杂的氟化碳材料，包括氟化碳，氟化碳表面掺杂有硫硒化合物，硫硒化合物的质量分数为9.99％‑30％。本发明的硫硒共掺杂的氟化碳材料、制备方法及其应用通过简单的加热处理合成了一种硫硒共掺杂的氟化碳材料，能够提升氟化碳材料在大倍率下的放电电压和倍率性能。
本发明授权一种硫硒共掺杂的氟化碳材料、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种硫硒共掺杂的氟化碳材料，包括氟化碳，其特征在于： 所述氟化碳表面掺杂有硫硒化合物，所述硫硒化合物的质量分数为9.99％-30％； 所述氟化碳表面还掺杂有硒单质，所述硒单质的质量分数为4.36％-5.51％； 所述硒单质位于所述硫硒化合物和氟化碳之间。
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