昂迈微(上海)电子科技有限公司柯年杭获国家专利权
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龙图腾网获悉昂迈微(上海)电子科技有限公司申请的专利一种分段式电流舵DAC获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118199647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410321825.7,技术领域涉及:H03M1/68;该发明授权一种分段式电流舵DAC是由柯年杭;陈明;李长春;何峥嵘设计研发完成,并于2024-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分段式电流舵DAC在说明书摘要公布了:本发明公开了一种分段式电流舵DAC,包括:分流单元,其包括与比特位对应的分流子单元,分流子单元的输入端连接第一低比特电流源的输出端,且每一个分流子单元支路电流依次倍增;本发明通过增加分流单元,在解决模拟电路匹配性问题的同时,考虑了DRCrule的限制,使得在优化电路性能的同时,减小了芯片面积,降低了成本。
本发明授权一种分段式电流舵DAC在权利要求书中公布了:1.一种分段式电流舵DAC,其特征在于,包括: 温度计解码器,用于将数字信号的高比特位进行解码,得到温度计代码; 高比特位电流源组,其输入端连接电流镜,所述高比特位电流源组包括由MOS晶体管阵列构成的高比特位子电流源; 高比特位开关单元组,其控制端输入温度计代码,其输入端连接高比特位电流源组的输出端,输出端连接电流舵DAC的输出端; 低比特电流源组,其输入端连接电流镜,包括由MOS晶体管构成的第一低比特位电流源和第二低比特位电流源; 分流单元,其包括与比特位对应的分流子单元,分流子单元的输入端连接第一低比特电流源的输出端;所述分流单元包括第一分流子单元、第二分流子单元和分流晶体管,第一分流子单元包括第三MOS晶体管,第三MOS晶体管的输入端连接第一低比特位电流源的输出端,第二分流子单元包括第四MOS晶体管,第三分流子单元包括第五MOS晶体管,第四MOS晶体管和第五MOS晶体管的输入端连接第一低比特位电流源的输出端,第三MOS晶体管的宽长比是第四MOS晶体管宽长比的两倍,第四MOS晶体管和第五MOS晶体管宽长比相同;第三分流子单元包括第五MOS晶体管,分流晶体管为第六MOS晶体管,第五MOS晶体管、第六MOS晶体管的输入端连接第一MOS晶体管的漏级;其中第三MOS晶体管的宽长比是第四MOS晶体管宽长比的两倍,第四MOS晶体管的宽长比是第五MOS晶体管宽长比的两倍,第五MOS晶体管的宽长比和第六MOS晶体管宽长比相等; 第一低比特位电流源为包括第一MOS晶体管; 低比特位开关单元组,其控制端分别来自输入数字信号的低比特位二进制信号;输出端连接电流舵DAC的输出端,其中一个低比特位开关单元的输入端连接第二低比特电流源组的输出端,按照比特位的对应关系,其余低比特位开关单元的输入端分别连接分流子单元的输出端。
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