电子科技大学青芳竹获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种制备六方氮化硼薄膜的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118086868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410140259.X，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种制备六方氮化硼薄膜的方法及装置是由青芳竹;朱庆龙;蒋其龙;李雪松设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备六方氮化硼薄膜的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括以下步骤：将载有硼粉的载具和金属基底均放置于反应器内；对硼粉和金属基底加热；向反应器内通入氮气与氢气的混合气体，开启射频源将气体电离并活化；电离成等离子体的气体与加热蒸发的硼粉在金属基底表面化合，并沉积形成六方氮化硼薄膜。上述一种制备六方氮化硼薄膜的方法，采用硼粉和氮气作为前驱体，不必选择硼氮化合物，整个制备过程无污染，并且单独的硼源和氮源可控，能够长时间且稳定地生长六方氮化硼薄膜。
本发明授权一种制备六方氮化硼薄膜的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 先将金属基底进行退火和抛光处理，金属基底的退火处理包括以下步骤： 将反应器内压力抽至10-15Pa，通入Ar和H2的混合气体，在0.5-1h内将金属基底的温度升至1010-1070℃，保温6-12h后退火20-30min，其中Ar的流量为50-200sccm，H2的流量为5-60sccm； 将载有单质的硼粉的载具和金属基底均放置于反应器内； 对硼粉和金属基底加热； 向反应器内通入氮气与氢气的混合气体，开启射频源将气体电离并活化； 所述硼粉的加热温度为500-1000℃，所述金属基底的加热温度为1010-1070℃，所述氮气的流量为50-200sccm，氢气的流量为5-60sccm，通过控制氮硼比，得到不同晶畴形状的六方氮化硼； 电离成等离子体的气体与加热蒸发的硼粉在金属基底表面化合，并沉积形成六方氮化硼薄膜。
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