宁夏天净隆鼎碳化硅有限公司夏开展获国家专利权
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龙图腾网获悉宁夏天净隆鼎碳化硅有限公司申请的专利一种利用碳化硅冶炼乏料制备碳化硅的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117963925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410071708.X，技术领域涉及：C01B32/97；该发明授权一种利用碳化硅冶炼乏料制备碳化硅的方法是由夏开展;胡风伟;李继锋;李笑天;朱会伟;王晨阳;李海军;陈默;刘洋;杨昊臻设计研发完成，并于2024-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用碳化硅冶炼乏料制备碳化硅的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种利用碳化硅冶炼乏料制备碳化硅的方法，包括：配置反应料；装炉；送电冶炼；出炉等步骤，其中，所述装炉步骤方法具体为：在碳化硅冶炼炉中，装炉炉料分为：新料、乏料、保温料；所述保温料分布在炉内四周，分别距离冶炼炉炉底，炉墙1m～1.4m处；所述乏料设置在炉体下方，高于炉底保温料1m～2m的区域，以及炉体上方距离炉芯上方1m～2m处；所述炉体其余部分分布新料。本申请通过乏料装炉分布工艺设计，实现了乏料回用于碳化硅的冶炼，达到了废弃物资源化利用的效果。
本发明授权一种利用碳化硅冶炼乏料制备碳化硅的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用碳化硅冶炼乏料制备碳化硅的方法，包括： 配置反应料，装炉，送电冶炼，出炉； 其特征在于，所述装炉步骤具体为： 在碳化硅冶炼炉中，将装炉炉料分为：新料、乏料、保温料、炉芯料； 所述保温料分布在碳化硅冶炼炉内四周，其中底部和侧部的厚度为1m～1.4m，顶部的厚度为0.4～0.6m； 所述乏料分布在：冶炼炉内炉芯料下方高于炉底保温料上边缘1m～2m的区域，以及分布在冶炼炉内距离炉芯上方1m～2m的区域； 所述冶炼炉内轴向中央分布为炉芯料， 所述冶炼炉内其余区域分布为新料。
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