南通大学方靖淮获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学申请的专利Ag/PDMS纳米柱阵列SERS基底、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117305770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310885500.7，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权Ag/PDMS纳米柱阵列SERS基底、制备方法及应用是由方靖淮;沈金祎;吴静设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本Ag/PDMS纳米柱阵列SERS基底、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于拉曼光谱检测技术领域，公开了一种AgPDMS纳米柱阵列SERS基底、制备方法及应用。本发明利用PDMS复刻出AAO的纳米柱结构，再利用掠射角蒸镀技术在顶部蒸镀一层相连的银层，最后利用PDMS的热膨胀效应加热使其银层断裂形成小间隙的AgPDMS纳米柱阵列SERS基底。通过对温度的调控，可得到不同性能SERS基底。本发明提供的SERS基底可应用于检测芯片，实验结果表明，当R6G浓度低至10‑9M时，该SERS基底仍能检测出拉曼信号，说明其具有痕量检测的潜力。
本发明授权Ag/PDMS纳米柱阵列SERS基底、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种AgPDMS纳米柱阵列SERS基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.将PDMS与固化剂混合，充分搅拌水解，去除内部气泡后浇筑到V型AAO模板的孔洞中，干燥固化，去除AAO模板，得到PDMS纳米柱阵列； S2.在所述PDMS纳米柱阵列的顶端采用掠射角蒸镀技术沉积Ag层，得到顶部紧密相连的AgPDMS纳米柱阵列，所述Ag层的厚度为120nm； S3.将所述顶部紧密相连的AgPDMS纳米柱阵列进行加热至顶部的Ag层恰好断裂形成小间隙，得到顶部Ag层具有小间隙的AgPDMS纳米柱阵列SERS基底。
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