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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117286461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311263336.2，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用是由张磊;黄浩斐;钱智超;张巍;王露露;陈雯昕;龚恒玥;唐可;王林军;黄健设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用，制备方法采用电子束蒸发法，在衬底上制备镓金属层，于空气氛围下对其进行氧化退火得到镓缓冲层，最后采用磁控溅射法在镓缓冲层表面制备得到高性能的氧化镓薄膜。与现有技术相比，本发明具有操作简单、成本较低、效果显著等优点，本发明得到的氧化镓薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。

本发明授权一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、衬底处理：对衬底依次采用丙酮、甲醇、去离子水进行超声清洗、高纯氮气吹干，得到洁净干燥的衬底； S2、镓金属层制备：将步骤S1得到的洁净干燥的衬底通过电子束蒸发镀镓，在衬底上制备得到镓金属层； S3、退火后处理：将步骤S2得到的衬底和镓金属层进行退火后处理，退火结束后，冷却，在衬底上制备得到镓缓冲层； S4、镓缓冲层清洗：对步骤S3得到的镓缓冲层依次采用丙酮、甲醇、去离子水进行超声清洗、高纯氮气吹干，得到洁净干燥的镓缓冲层； S5、氧化镓薄膜制备：选择靶材为氧化镓陶瓷靶材，在步骤S4得到的洁净干燥的镓缓冲层上利用磁控溅射法制备氧化镓薄膜； 在步骤S2中，所述电子束蒸发镀镓的具体操作过程为：将步骤S1得到的洁净干净的衬底送入电子束蒸发腔体内，将蒸镀金属设为镓，同时将工艺参数加载为镓工艺并设置相应的薄膜厚度；打开电子束设备电源，等待预热完毕后，以每分钟2%~10%的速率增加功率，并保温10~60s，等待束流出现并调整光斑位于坩埚内而不接触坩埚壁；在功率达到20%~60%以后保持每分钟1%~5%的增长速率，直到薄膜沉积速率≥0.6Ås时正式蒸镀，蒸镀完成后在衬底上制备得到镓金属层； 在步骤S3中，退火温度为400~800℃，退火时间为30~120min，冷却温度为室温。

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