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龙图腾网获悉济南大学申请的专利一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117286458B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310933969.3，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用是由逄金波;王慧;侯崇洋;刘瑞;刘宏;周伟家设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及的二维材料制备技术领域，尤其涉及一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用。本发明通过流体动力学模拟管式炉内温度和气体流速，验证硒化过程中管式炉内的温度和气体流速是否均匀分布；验证硒化温度对二硒化钯薄膜合成的影响；验证前驱体厚度对二硒化钯制备的影响，比较温度和厚度对通过电子束蒸发Pd金属和后硒化合成PdSe2的质量的影响来拓宽生长参数窗口。最终制备得到高性能的二硒化钯晶圆级，并进一步将该制备方法应用与制备二硒化钯器件，构建场效应晶体管和光电探测器。可为硅工艺兼容制备圆片级高质量PdSe2二维材料提供重要参考。

本发明授权一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.二硒化钯晶圆级制备方法，其特征在于，通过流体动力学模拟管式炉内温度和气体流速，验证硒化过程中管式炉内的温度和气体流速是否均匀分；验证硒化温度对二硒化钯薄膜合成的影响；验证前驱体厚度对二硒化钯制备的影响； 结合上述验证得到的参数，进行二硒化钯晶圆级制备，步骤如下： S1、衬底清洗；S1中衬底进行清洗，需要依次使用丙酮、异丙醇、去离子水，将其没过衬底，并放入超声波清洗仪进行清洗；然后将衬底晾干或用无尘布擦拭干净，最后使用氧等离子体清洗； S2、金属薄膜的沉积；S2中采用电子束蒸发镀膜仪来蒸镀Pd膜；电子枪的功率为3KW；冷水机的工作温度为25°C，流量为12.3Lpm；采用手动预熔和沉积膜层的方式对靶材进行预溶解和蒸镀，手动调整输出功率至达到所需的沉积速率；设置Pd预熔的功率为100KW左右，速率控制在2.8-3.2As； S3、二硒化钯材料的制备；S3的具体操作如下： S31、将衬底上沉积的钯膜置于管式炉第二温度区，称量2g硒粉末放置在陶瓷舟并将其置于第一温度区； S32、通过真空泵将管中变为真空状态，在Ar和H2的保护气氛中，硒粉末所在区域的温度以25°Cmin的速率升高至600°C，与此同时，用于衬底处理的温度区域以19°Cmin的速率升至400°C； S33、对Pd薄膜的进行后硒化处理，硒化时间定为10min； S34、通风快速冷却硒粉区域2min至常温； S35、停止衬底加热区并将下游区域拉开使衬底区完全暴露； S36、金属钯薄膜经过硒化合成出二硒化钯薄膜； S4、晶圆级二硒化钯的制备；S4的具体操作如下： S41、使用高温胶带固定衬底，并将其固定为五边形形状，采用镀膜仪蒸镀四寸的五边形钯金属膜为前驱体； S42、通过管式炉程序控制升温，硒蒸发温度和生长区域以及保温区的温度统一设置为450°C：首先以5°Cmin的升温速率升至200°C，然后以4°Cmin的升温速率升至450°C后开始合成二硒化钯薄膜，生长时间延长至180min； S43、硒化结束后，通过管式炉程序控制降温：首先以1.4℃min的速率降至200°C，之后停止程序，采用通风设备使其自然冷却逐步降温至室温； 通过进行多物理场的模拟计算，并转向动力学控制，借用硒蒸汽捕获来维持化学平衡环境，以促进均匀生长； 钯金属直接硒化的最佳温度范围为400-500°C； PdSe2的最佳厚度为6nm。

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