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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117153858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311115456.8，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法是由郝茂盛;袁根如;徐志伟;陈朋;马后永;韦慧设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高亮度的LED模组，包括：形成于CMOS驱动电路基板上的阵列排布的若干LED像素单元；其中，N型外延层的第一面形成出光粗化结构；金属空气桥结构，连接于若干N型外延层之间，且延伸于阴极柱的侧壁与表面上；光阻结构，阵列排布于光阻结构中的若干荧光结构单元；每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；反射镜层形成于荧光结构的侧壁上；透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端；其中，荧光结构单元中的荧光结构对应键合于LED像素单元中的出光粗化结构上。该技术方案解决了提高光线聚集度和芯片出光亮度，同时提高LED模组的分辨率的问题。

本发明授权高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高亮度的LED模组，其特征在于，包括： 阵列排布的若干LED像素单元；每个LED像素单元均包括：第一方向依次堆叠的透明导电层、P型外延层、发光层以及N型外延层；其中，所述N型外延层的第一面形成有出光粗化结构；所述N型外延层的第一面表征了所述N型外延层背离所述发光层的一面； 一个或两个以上的阴极柱； 金属空气桥结构；所述金属空气桥结构连接于若干所述N型外延层之间，且延伸于所述阴极柱的侧壁与表面上； CMOS驱动电路基板； 若干P-pad结构；形成于部分所述透明导电层与所述CMOS驱动电路基板之间； 若干N-pad结构；形成于部分所述阴极柱的表面的所述金属空气桥结构上，且连接所述CMOS驱动电路基板；其中，所述阴极柱、所述金属空气桥结构与所述若干N-pad结构形成共阴极结构； 光阻结构； 阵列排布的若干荧光结构单元；每个荧光结构单元均包括：反射镜层、荧光结构以及透镜结构；其中，所述若干荧光结构阵列排布于所述光阻结构中，且贯穿所述光阻结构；在每个所述荧光结构单元中，所述反射镜层形成于所述荧光结构的侧壁上；所述透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端； 其中，所述荧光结构单元中的所述荧光结构对应键合于所述LED像素单元中的所述出光粗化结构上；且至少部分所述LED像素单元的顶端对应形成有所述荧光结构单元。

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