买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利对硅片边缘手动加工缺口的操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117047566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311018528.7，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权对硅片边缘手动加工缺口的操作方法是由李昌华;楼刚刚;高威;贾俊;陈广设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本对硅片边缘手动加工缺口的操作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种对硅片边缘手动加工缺口的操作方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：先在激光厚度测量设备上对硅片进行厚度检测。根据硅片的厚度选择开槽砂轮组件。接着将无缺口的硅片放在卡槽检测区的测试片卡槽。然后选择缺口粗研单元移动，研削台上吸着无缺口的硅片。再选择倒角机手动操作模式，拟研削台四方位移动动态。把研削仓门关闭，砂轮冷却水打开，开启倒角机主轴旋转对无缺口硅片进行开槽倒角。接着把机台接受硅片方式修改凹槽形状模式，对硅片进行粗倒角和精倒角。具有操作便捷、省时省力和运行稳定性好的特点。解决硅片在同样的工艺加工条件下，实现不同的方位晶向的硅片，达到多方面的技术成效。

本发明授权对硅片边缘手动加工缺口的操作方法在权利要求书中公布了：1.一种对硅片边缘手动加工缺口的操作方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：在选择倒角机机台时，先在激光厚度测量设备上对硅片3进行厚度检测，将硅片3放置到测量台面吸盘4上，旋转电机5驱动硅片3旋转的同时由激光测厚支架1上的激光测厚检测仪2融下超厚度硅片3； 第二步：根据硅片3的厚度选择开槽砂轮组件10； 第三步：硅片3完成厚度检测后进入倒角机加工条件界面，将基准晶圆片厚度厚度修改为需要开槽晶圆片厚度，同时把机台接受硅片方式修改圆形状模式； 第四步：将无缺口的硅片3放在卡槽检测区6的测试片卡槽9，无缺口的硅片3放在卡槽后进行点击主晶圆片移动到研削台位置，通过倒角机设定的动作移动到指定的研削台11上吸着对中，此时X方向和Y方向的偏心量分别不得超过10μm； 第五步：选择缺口粗研单元移动，研削台11上吸着无缺口的硅片3，通过倒角机拟定X、Y、Z、∅轴路线，硅片3靠近开槽砂轮组件10，调整硅片3在开槽砂轮组件10槽底部位置，以求硅片3达到开槽砂轮组件10槽中心位置； 第六步：选择倒角机手动操作模式，拟研削台11四方位移动动态，选择研削台11的Y轴步进电机移动，通过机台以设定的单元移动量-1000μm、-100μm、-10μm、-1μ进行前进和后退，点击频率不要太快，当硅片3边缘接触砂轮切口轴13时，停止点击单元移动并记录移动量； 第七步：把研削仓门关闭，砂轮冷却水打开，开启倒角机主轴旋转，选择研削台Y轴步进电机移动点击-10μm进行移动，对无缺口的硅片3进行开槽倒角，完成开槽进给后，关闭倒角机，停止主轴旋转； 第八步：选择点击+100μm若干次开槽完成硅片3后退，再次选择点击-1000μm移动量，直到退回初始位置以上，选择点击单元移动选择点击受入位置，让研削台11带动硅片3回到初始收入位置； 第九步：倒角机主轴旋转砂轮状态呈静态状况，打开研削室门，关闭研削真空吸附； 第十步：手动取下开槽后的硅片3，气枪风干表面水分，转移到显微镜下测量开槽切口深度，根据开槽切口深度调整研削台11Y轴前进量移动坐标； 第十一步：接着将开完切口的硅片3放入倒角机加工站台，把机台接受硅片方式修改凹槽形状模式，对硅片3进行粗倒角和精倒角，完成倒角后再进行风干并放入片盒里面，完成硅片3切口的工艺过程。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，其通讯地址为：311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。