河北同光半导体股份有限公司刘凯辉获国家专利权
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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利快速调整碳化硅切割角度的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116985283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311190955.3,技术领域涉及:B28D5/04;该发明授权快速调整碳化硅切割角度的方法是由刘凯辉;郑向光;崔景光;赵伟帅;刘少华;高彦静设计研发完成,并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本快速调整碳化硅切割角度的方法在说明书摘要公布了:一种快速调整碳化硅切割角度的方法,涉及碳化硅技术领域,其能够快速调整碳化硅切割角度的方法是通过晶体定向后得到的上垂线方向,对切割装载后晶体X和Y轴进行有意向的精确调整,从而达到客户需要的角度要求;并且,无论晶体角度多大,均可按照此方法对其进行调整,从而使切割后的晶圆角度可控精度,以达到客户需要的角度要求。所述快速调整碳化硅切割角度的方法中,待切割的晶体装载到切割设备时,需要将上垂线与切割线网平行,平边对面为线网开始切割方向,SI面朝外,使用千分表进行端面打表;降低角度的操作过程包括:晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低;增大角度的操作过程包括:晶体X轴角度增大和晶体X、Y轴角度同时增大。
本发明授权快速调整碳化硅切割角度的方法在权利要求书中公布了:1.一种快速调整碳化硅切割角度的方法,其特征在于,待切割的晶体装载到切割设备时,需要将上垂线与切割线网平行,平边对面为线网开始切割方向,Si面朝外,使用千分表进行端面打表; 象限划分:以切割时平边对面为线网开始切割方向为准,晶体端面中心为原点,过原点平行于平边方向的横轴为X轴,垂直于X轴的纵轴为Y轴;X轴和Y轴将晶体端面分为4个区域,4个区域分别是右上方为第一象限,左上方为第二象限,左下方为第三象限,右下方为第四象限; 降低角度的操作过程包括:晶体X轴角度降低和晶体X、Y轴角度同时降低; 晶体X轴角度降低时,上垂线指向左侧方向,降低角度切割时需要右侧增加相应高度,也即右边抬高; 晶体X、Y轴角度同时降低时,上垂线指向左侧方向,且偏向第三象限,降低角度切割时需要下面降低相应高度同时右侧增加相应高度,也即下边降低和右边抬高;上垂线指向左侧方向,且偏向第二象限,降低角度切割时需要下面和右侧增加相应高度,也即下边和右边抬高; 增大角度的操作过程包括:晶体X轴角度增大和晶体X、Y轴角度同时增大; 晶体X轴角度增大时,上垂线指向左侧方向,增大角度切割时需要左侧增加相应高度,也即左边抬高; 晶体X、Y轴角度同时增大时,上垂线指向左侧方向,且偏向第三象限,增大角度切割时需要下面增加相应高度同时右侧降低相应高度,也即下边抬高和右边降低;上垂线指向左侧方向,且偏向第二象限,增大角度切割时需要下面和右侧降低相应高度,也即下边和右边降低。
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