大连理工大学韩雪获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种以铝为蒸发材料制备表面等离子体共振芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116837324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310790281.4，技术领域涉及：C23C14/14；该发明授权一种以铝为蒸发材料制备表面等离子体共振芯片的方法是由韩雪;贺承超;杨宇翔;李彦宏设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种以铝为蒸发材料制备表面等离子体共振芯片的方法在说明书摘要公布了：本发明属于表面等离子体共振传感技术领域，公开一种以铝为蒸发材料制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：步骤a选取紫外级熔融石英为衬底，清洗吹干；步骤b将蒸发舟安装在电阻式蒸发镀膜仪的蒸发源架上，并在其上添加2～4粒Ф3*3mm铝颗粒，将衬底置于托盘上，关闭真空室开启冷却水；步骤c抽真空至1×10‑4Pa以下，在紫外级熔融石英衬底上蒸镀铝薄膜，蒸发电流为150A，沉积速度为1.5～2.0nms，沉积时间为10～15秒。本发明采用的蒸镀方式是最简单的电阻蒸发，操作简单，工艺参数容易控制，可重复性强，成本低廉。并且制备得到的铝薄膜表面致密平整，粘附力好，可用于表面等离子体共振芯片。
本发明授权一种以铝为蒸发材料制备表面等离子体共振芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种以铝为蒸发材料制备表面等离子体共振芯片的方法，其特征在于，包括： 步骤a选取不吸收蓝光的紫外级熔融石英材料为衬底，清洗吹干； 步骤b将蒸发舟安装在电阻式蒸发镀膜仪的蒸发源架上，并在其上添加2～4粒Ф3*3mm铝颗粒，将衬底置于托盘上，关闭真空室开启冷却水； 步骤c抽真空至1×10-4Pa以下，将铝颗粒对应的蒸发电流调节到150A，使铝蒸发并沉积在上述衬底上，控制沉积时间10～15秒，即在衬底上得到铝薄膜。
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