绍兴中芯集成电路制造股份有限公司张文博获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310329566.8，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用是由张文博;刘琪;李雄伟设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用；其中，容隔离器的制备方法包括：在衬底上形成依次层叠设置的第一电极板、氧化硅电介质层和氮化硅电介质层；在氮化硅电介质层中形成应力释放槽；在氮化硅电介质层上形成第二电极板；本申请各实施例通过在氮化硅电介质层中形成应力释放槽，从而有利于在后续的测试中或者使用中释放电应力，避免氧化硅电介质层和氮化硅电介质层的界面处发生局部特性变化，进而避免容隔离器出现裂纹，提高了容隔离器的工作可靠性。
本发明授权容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用在权利要求书中公布了：1.一种容隔离器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成依次层叠设置的第一电极板、氧化硅电介质层和氮化硅电介质层； 在所述氮化硅电介质层中形成应力释放槽； 在所述氮化硅电介质层上形成第二电极板； 其中，所述在所述氮化硅电介质层中形成应力释放槽，包括：形成贯穿所述氮化硅电介质层的应力释放槽；在垂直于衬底平面的方向上，所述应力释放槽的投影包围所述第一电极板的投影和或所述第二电极板的投影。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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