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龙图腾网获悉浙江芯科半导体有限公司申请的专利一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310103229.7，技术领域涉及：H01L21/3063；该发明授权一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法是由李京波;张梦龙;张高天;王小周设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了本申请提供一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法，包括：提供包括生长基板、GaN刻蚀层及GaN外延层的GaN外延基片；制备设置在GaN刻蚀层上的平边电极；提供稳压直流电源，将正极与平边电极连接；在GaN外延层的上表面形成柔性衬底；制备液体塑料，并将液体塑料涂抹在柔性衬底上表面、柔性衬底裸露的周侧以及GaN外延层周侧以形成保护层；用紫外灯照射液体塑料；准备电解液，使在GaN刻蚀层在电解液中发生刻蚀；去除液体塑料。通过在柔性衬底及GaN外延层的上方涂液体塑料，使形成的保护层可以保护柔性衬底免受电解液的侵蚀以及给柔性衬底提供应力支撑，本方法能够快速、大面积地剥离GaN外延层，且剥离过程不易污染电解液而使刻蚀中断。

本发明授权一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法在权利要求书中公布了：1.一种从生长基板上剥离GaN外延层的方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供GaN外延基片，所述GaN外延基片包括生长基板、GaN刻蚀层以及GaN外延层； 制备平边电极，所述平边电极设置在所述GaN刻蚀层上； 提供稳压直流电源，将所述稳压直流电源的正极与所述平边电极连接形成电化学刻蚀的阳极，所述稳压直流电源的负极还连接形成有电化学刻蚀的阴极； 提供黏性高聚物膜，并将所述黏性高聚物膜的表面黏贴在所述GaN外延层的上表面形成柔性衬底； 制备液体塑料，并将所述液体塑料涂抹在所述柔性衬底上表面、所述柔性衬底裸露的周侧以及GaN外延层周侧以形成一层保护层，所述柔性衬底上的保护层用于给所述柔性衬底提供应力支撑以及保护所述柔性衬底免受电解液的侵蚀，所述GaN外延层周侧的的保护层用于加固所述柔性衬底上的保护层以及保护所述GaN外延层免受电解液的侵蚀； 用紫外灯照射涂抹的液体塑料，使所述液体塑料固化； 准备电解液，将所述电化学刻蚀的阴极以及所述GaN刻蚀层放入所述电解液中，形成一个闭合的回路，打开所述稳压直流电源，使在所述GaN刻蚀层在所述电解液中发生电化学腐蚀以实现所述GaN外延层与所述衬底的剥离； 去除所述柔性衬底上的液体塑料。

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