电子科技大学张丽获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种集成式薄膜噪声抑制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310228471.7，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种集成式薄膜噪声抑制器是由张丽;段锋;韩天成;陈海燕;周佩珩;陆海鹏;慎戈斐;宋煜杨;邓龙江设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成式薄膜噪声抑制器在说明书摘要公布了：本发明属于磁性功能材料与元器件领域，涉及高频抗电磁干扰技术，具体为一种集成式薄膜噪声抑制器。本发明将磁性薄膜分层，通过绝缘层的隔离，在传输线上集成多层软磁薄膜，通过软磁薄膜的磁损耗实现对噪声的抑制，能够在0‑6GHz频率范围内，形成单频点或多频点的集成式薄膜噪声抑制器。并提供了根据实际需要调整磁性膜材料种类或磁性膜厚度，进一步满足宽频电磁噪声抑制的优选方案。本发明结构和工艺简单，兼具了可集成、高性能、宽频带和高适用性的优点。
本发明授权一种集成式薄膜噪声抑制器在权利要求书中公布了：1.一种集成式薄膜噪声抑制器，其特征在于：为多层薄膜结构，从下至上依次为介质基片、传输线、绝缘层和磁性薄膜层； 所述介质基片为绝缘介质，传输线为电导率大于103Scm的导电材料； 所述磁性薄膜层为n个单元层从下至上堆叠而成，n≥2，单元层是下层共振吸收频率为f1的磁性膜和上层为隔离层的双层结构，f1为0.5GHz-10GHz；最终堆叠为共计n个单元层的磁性薄膜层，隔离层采用绝缘材料；单元层为FeCoB与FeNi两种材料交替运用； 所述绝缘层将磁性薄膜层与微带线完全绝缘。
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