浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司田辉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司申请的专利一种清洗碳化硅晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116092918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310013148.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种清洗碳化硅晶片的方法是由田辉;林宏达;翟虎;宋亚滨设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种清洗碳化硅晶片的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种清洗碳化硅晶片的方法。该方法包括：1使用臭氧溶液对碳化硅晶片进行第一清洗，得到碳化硅晶片I；2使用二流体进行第二清洗，得到碳化硅晶片II；3使用氨水溶液进行第三清洗，得到碳化硅晶片III；4使用氢氟酸溶液进行第四清洗，得到碳化硅晶片IV；5对所述碳化硅晶片IV依次重复进行步骤1至步骤4中的操作；6使用所述臭氧溶液进行钝化处理。本发明提供的方法能有效去除碳化硅晶片的表面颗粒和金属污染物，并且提供碳化硅晶片的有效面积。
本发明授权一种清洗碳化硅晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种清洗碳化硅晶片的方法，其特征在于，该方法包括： 1使用臭氧溶液对碳化硅晶片进行第一清洗，得到碳化硅晶片I，其中所述臭氧溶液中臭氧的浓度为25-60mgkg； 2使用二流体对所述碳化硅晶片I进行第二清洗，得到碳化硅晶片II，所述二流体中含有体积比为1：30-70的氮气和水； 3使用氨水溶液对所述碳化硅晶片II进行第三清洗，得到碳化硅晶片III； 4使用氢氟酸溶液对所述碳化硅晶片III进行第四清洗，得到碳化硅晶片IV； 5对所述碳化硅晶片IV依次重复进行步骤1至步骤4中的操作直至所得碳化硅晶片表面的金属离子≤10×1010atomcm，且颗粒物平均直径≤0.3μm的表面颗粒度≤100，颗粒物平均直径≥0.2μm的表面颗粒度≤800； 6使用所述臭氧溶液对步骤5中最后一次清洗后得到的碳化硅晶片进行钝化处理。
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