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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子(广州)有限责任公司申请的专利沟槽的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310055946.7，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权沟槽的制备方法是由吴宗晔;施亿昌;叶甜春;罗军;李彬鸿;王云设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽的制备方法。一种沟槽的制备方法包括：提供基底，基底包括待第一刻蚀区；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底的上表面；在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，Sbar标记的宽度小于第一待刻蚀区的宽度；对Sbar标记及光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，图形化光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，第一开口内对应Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；基于图形化光刻胶层对基底进行刻蚀，以于基底内形成第一沟槽，第一沟槽的底部呈阶梯状。本方法通过在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，达到了同一个沟槽内产生不同的刻蚀深度。

本发明授权沟槽的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽的制备方法，其特征在于，所述沟槽的制备方法包括： 提供基底，所述基底包括第一待刻蚀区； 在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述基底的上表面； 在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，所述Sbar标记的宽度小于所述第一待刻蚀区的宽度； 对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，所述第一开口内对应所述Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层； 基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽，所述第一沟槽的底部呈阶梯状； 其中，所述基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽，包括： 基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行第一刻蚀，以去除所述残留光刻胶层，并于所述基底内形成预设沟槽； 基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行第二刻蚀，以于所述基底内形成所述第一沟槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子(广州)有限责任公司，其通讯地址为：510000 广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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