长鑫存储技术有限公司张磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031208B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310071040.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张磊;杨孝东;黄俊杰设计研发完成，并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；所述衬底包括第一PMOS区和外围信号区；至少在所述第一PMOS区上依次形成第一外延层和第二外延层；在所述外围信号区上形成第一栅氧化层的过程中，消耗所述第二外延层。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 包括： 提供衬底；所述衬底包括第一PMOS区和外围信号区； 至少在所述第一PMOS区上依次形成第一外延层和第二外延层； 在所述外围信号区上形成第一栅氧化层的过程中，消耗所述第二外延层； 所述衬底还包括：第一NMOS区；至少在所述第一PMOS区上依次形成第一外延层和第二外延层，包括： 在所述第一NMOS区和所述外围信号区上形成阻挡层； 在所述阻挡层和所述第一PMOS区上依次形成所述第一外延层和所述第二外延层； 其中，所述第一PMOS区上的第一外延层和第二外延层分别包括单晶SiGe层和单晶Ge层；所述第一NMOS区和所述外围信号区上的第一外延层和第二外延层分别包括多晶SiGe层和多晶Ge层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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