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龙图腾网获悉成都复锦功率半导体技术发展有限公司申请的专利一种芯片封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211699189.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种芯片封装结构及其制备方法是由马磊设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，属于芯片封装技术领域，方法包括：封装第一芯片；制作第一重布线件；封装第二芯片，第二芯片的第一面电极与第一芯片的第一面电极经第一重布线件连接；制作第二重布线件，第一芯片的第二面电极或第二芯片的第二面电极经第二重布线件与焊盘连接；制作第三重布线件，第一芯片的第一面电极、第二芯片的第一面电极经第一重布线件、第三重布线件与焊盘连接。本发明方法无需借助引线框架即可实现至少两颗芯片的互联封装，大大减薄了封装结构体积；叠层设置的两颗芯片的相同电极经重布线件连接后与焊盘连接，本发明经重布线件实现芯片电极互联并能降低封装寄生电阻。

本发明授权一种芯片封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于：其包括： 封装第一芯片，得到第一塑封层； 制作第一重布线件，第一重布线件与第一芯片的第一面电极连接； 封装第二芯片，得到堆叠于第一塑封层上的第二塑封层，第二芯片的第一面电极与第一芯片的第一面电极经第一重布线件连接；第一芯片的第一面电极、第二芯片的第一面电极为相同电极； 制作第二重布线件，第一芯片的第二面电极或第二芯片的第二面电极经第二重布线件与焊盘连接；当第一芯片的第二面电极经第二重布线件与焊盘连接时，第二芯片的第二面电极与焊盘连接；当第二芯片的第二面电极经第二重布线件与焊盘连接时，第一芯片的第二面电极与焊盘连接； 制作第三重布线件，第一芯片的第一面电极、第二芯片的第一面电极经第一重布线件、第三重布线件与焊盘连接； 当第一芯片、第二芯片同向设置时，方法包括以下步骤： 将第一芯片粘贴在载板上，对第一芯片进行塑封得到第一塑封层，在第一塑封层上制作第一布线层，并在第一布线层上制作第三塑封层； 去除载板后制作第二布线层，并沉积第一介质层； 在第一介质层内制作第三内侧布线层，使第三内侧布线层与第二布线层连接，并制作贯通第一塑封层、第一介质层的第三外侧布线层； 在第一介质层上制作第四布线层，第四布线层与第三外侧布线层连接，第一布线层、第三外侧布线层、第四布线层构成第一重布线件； 在第四布线层上粘贴第二芯片，使第二芯片的第一面电极与第四布线层连接，并对第二芯片进行塑封得到第二塑封层； 制作贯通第二塑封层的第五内侧布线层、第五外侧布线层，第五内侧布线层与第三内侧布线层连接，第二布线层、第三内侧布线层、第五内侧布线层形成第二重布线件；第五外侧布线层为第三重布线件，与第三外侧布线层连接； 在第二塑封层上制作焊盘，第五内侧布线层、第五外侧布线层、第二芯片的第二面电极与焊盘连接； 当第一芯片、第二芯片反向设置时，方法包括以下步骤： 将第一芯片粘贴在载板上，对第一芯片进行塑封得到第一塑封层，对第一塑封层开槽，以露出第一芯片的第一面电极； 在凹槽中制作第一布线金属层，第一布线金属层为第一重布线件； 在第一布线金属层上制作第二芯片，使第一布线金属层与第二芯片的第一面电极连接； 对第二芯片进行塑封得到第二塑封层，并在第二塑封层上制作第二布线金属层，使第二芯片的第二面电极与第二布线金属层连接，然后制作第四塑封层再去除载板； 翻转当前封装结构，制作贯穿第一塑封层、第二塑封层的第三布线金属层，使第三布线金属层与第二布线金属层连接，第二布线金属层、第三布线金属层形成第二重布线件； 在第一塑封层内制作第四布线金属层，使第四布线金属层与第一布线金属层连接，第四布线金属层为第三重布线件； 在第一塑封层上制作第三介质层，并在第三介质层上制作焊盘，第三布线金属层、第四布线金属层、第一芯片的第二面电极与焊盘连接。

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