长江存储科技有限责任公司张坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116017984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111214561.8，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制备方法是由张坤;陈亮;周文犀;王迪;薛磊设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维存储器及制备方法。制备方法包括：在初始衬底上限定的第一区域内形成外围电路，并采用第一填充层覆盖第一区域；在初始衬底的、除第一区域之外的部分形成凹槽，并在凹槽内形成第一叠层结构；在第一叠层结构和外围电路上形成第二叠层结构；以及形成贯穿第一叠层结构和第二叠层结构的沟道结构。通过本申请提供的制备方法，将外围电路与三维存储阵列形成在同一衬底的不同水平面上，在有效缩小外围电路晶圆的尺寸的同时，可减小随后形成的外围电路的接触孔的纵横比，进而有利于降低三维存储器的连线制程难度。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括： 在初始衬底上限定的第一区域内形成外围电路，并采用第一填充层覆盖所述第一区域，其中所述外围电路为外围高压电路； 在所述初始衬底的、除所述第一区域之外的部分形成凹槽，并在所述凹槽内形成第一叠层结构；在所述第一叠层结构和所述外围电路上形成第二叠层结构，其中所述第一叠层结构和所述第二叠层结构共同构成所述存储器的叠层结构； 形成贯穿所述叠层结构的沟道结构；以及 在所述叠层结构远离所述初始衬底的一侧连接外围电路芯片，其中所述外围电路芯片包括外围低压电路和外围超低压电路中的任意一种或组合。
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