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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利p-n同质结Cu2O葡萄糖光电化学传感电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115980156B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211076434.0，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权p-n同质结Cu2O葡萄糖光电化学传感电极的制备方法是由祁祥;姚博文;任晓辉设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本p-n同质结Cu2O葡萄糖光电化学传感电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种p‑n同质结氧化亚铜Cu2O葡萄糖光电化学传感电极的制备方法。本发明主要是，在光电化学三电极系统中，工作电极由1cm×3cmITO基板组成，对电极为铂片电极，饱和甘汞电极SCE为参比电极。使用前，所有ITO基板在丙酮中超声清洗20分钟，乙醇清洗20分钟，去离子水清洗20分钟。氧化亚铜Cu2Op‑n同质结薄膜由含有0.1M硫酸铜CuSO4.5H2O和1.4M乳酸钠C3H5O3Na作为合成剂的水溶液沉积而成，沉积溶液用NaOH调节至pH＝11，用电化学工作站设置溶液相对于SCE的电位为‑0.4V沉积时间1800s调节反应沉积温度为30℃，即得p‑n同质结氧化亚铜Cu2O葡萄糖光电化学传感电极。本发明使用的p‑n同质结氧化亚铜Cu2O葡萄糖光电化学传感电极，保留了p型材料作为光阴极电极的抗还原性高选择性特性，同时又通过Cu2+自掺杂实现p‑n结的改性，从而提高了电极的光电化学响应提升了信号强度。本发明操作简单，反应安全可靠，对设备要求低，且原料成本低，便于广泛应用。

本发明授权p-n同质结Cu2O葡萄糖光电化学传感电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p-n同质结氧化亚铜Cu2O葡萄糖光电化学传感电极的制备方法，其特征在于，步骤如下： 1在光电化学三电极系统中，工作电极由1cm×3cmITO基板组成，对电极为铂片电极，饱和甘汞电极SCE为参比电极； 2使用前，所有ITO基板在丙酮中超声清洗20分钟，乙醇清洗20分钟，去离子水清洗20分钟； 3氧化亚铜Cu2Op-n同质结薄膜由含有0.1M五水硫酸铜CuSO4.5H2O和1.4M乳酸钠C3H5O3Na作为合成剂的水溶液沉积而成,通过移液枪滴入NaOH调节pH=11； 4将三电极系统连入电化学工作站，在电化学工作站设置溶液相对于SCE的电位为-0.4V，控制沉积温度为30℃，设置沉积时间1800s，即得到p-n同质结氧化亚铜Cu2O电极。

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