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四川和芯微电子股份有限公司崔博华获国家专利权

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龙图腾网获悉四川和芯微电子股份有限公司申请的专利线性补偿偏置电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115940831B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211511726.2,技术领域涉及:H03F1/30;该发明授权线性补偿偏置电路是由崔博华;张宗楠;王鹏;邓小东;周竣峰设计研发完成,并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

线性补偿偏置电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种线性补偿偏置电路,其包括线性调节单元与温度补偿单元,线性调节单元分别与射频放大器及一外部电源连接,温度补偿单元分别与线性调节单元及另一外部电源连接,且温度补偿单元邻近于射频放大器的功率管;线性调节单元包括第一电阻、第二电阻及第一晶体管,第一电阻一端与功率管的基极连接,另一端与第一晶体管的发射极连接,第一晶体管的基极与第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端与一外部电源连接,第一晶体管的集电极与温度补偿单元连接。本发明的线性补偿偏置电路可对射频放大器进行温度补偿与大信号线性补偿,使得射频放大器的温度更稳定,功率管的线性度更好,提升了射频放大器电路的动态性能调节能力。

本发明授权线性补偿偏置电路在权利要求书中公布了:1.一种线性补偿偏置电路,适应于射频放大器,其特征在于,包括线性调节单元与温度补偿单元,所述线性调节单元分别与射频放大器及一外部电源连接,用以调节所述射频放大器的线性度,所述温度补偿单元分别与所述线性调节单元及另一外部电源连接,且所述温度补偿单元邻近于射频放大器的功率管,用以感应所述功率管的温度变化并根据温度变化情况实时对所述功率管进行温度补偿;所述线性调节单元包括第一电阻、第二电阻及第一晶体管,所述第一电阻一端与所述功率管的基极连接,另一端与所述第一晶体管的发射极连接,所述第一晶体管的基极与第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端与一外部电源连接,所述第一晶体管的集电极与所述温度补偿单元连接;所述温度补偿单元包括第二晶体管、第三晶体管、第三电阻及第四电阻,所述第二晶体管的基极与第一晶体管的基极连接,集电极与第一晶体管的集电极连接,所述第二晶体管的发射极与第四电阻的一端、第三晶体管的基极共同连接,所述第四电阻的另一端接地;所述第二晶体管的集电极与第三电阻的一端、第一晶体管的集电极共同连接,所述第三电阻的另一端与另一外部电源连接;所述第三晶体管的集电极与第一晶体管的发射极连接,所述第三晶体管的发射极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人四川和芯微电子股份有限公司,其通讯地址为:610041 四川省成都市高新区吉泰路33号1栋801、1栋901、1栋902;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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