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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器装置及其存储器控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111174165.7，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器装置及其存储器控制方法是由陈哲平;李亚叡设计研发完成，并于2021-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器装置及其存储器控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器控制器，存储器控制器接收将信息编程至由存储器控制器控制的存储器存储阵列的命令。存储器控制器判定存储信息的目标存储器状态及对应于目标存储器状态的目标阈值电压电平。存储器控制器至少基于目标存储器状态判定用于预编程循环的一或多个编程脉冲，包含至少基于目标阈值电压电平判定一或多个编程脉冲的电压电平。存储器控制器选择存储器存储阵列中的存储器位置以编程信息，且通过在各别电压电平下施加一或多个编程脉冲来预编程所选择的存储器位置，一或多个编程脉冲在无编程验证操作的情况下施加。在预编程之后，存储器控制器将信息编程至所选择的存储器位置。

本发明授权存储器装置及其存储器控制方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器控制方法，适用于存储器控制器，其特征在于，所述方法包括： 接收将信息编程至由所述存储器控制器控制的存储器存储阵列的命令； 判定存储所述信息的目标存储器状态及对应于所述目标存储器状态的目标阈值电压电平； 至少基于所述目标存储器状态判定用于预编程循环的一或多个编程脉冲，包含至少基于所述目标阈值电压电平判定所述一或多个编程脉冲的电压电平； 选择所述存储器存储阵列中的存储器位置以编程所述信息； 通过在各别电压电平下施加所述一或多个编程脉冲来预编程所选择的存储器位置，所述一或多个编程脉冲在无编程验证操作的情况下施加；以及 在所述预编程之后，将所述信息编程至所述所选择的存储器位置；还包括： 接收将第二信息编程至所述存储器存储阵列的第二命令； 判定存储所述第二信息的多个目标存储器状态，所述多个目标存储器状态包含第一存储器状态及第二存储器状态； 判定对应于所述多个目标存储器状态的多个目标阈值电压电平，所述多个目标阈值电压电平包含对应于所述第一存储器状态的第一目标电压电平及对应于所述第二存储器状态的第二目标电压电平，所述第二目标电压电平高于所述第一目标电压电平； 至少基于所述多个目标存储器状态判定一或多个第二编程脉冲，所述一或多个第二编程脉冲包含用于预编程所述第一存储器状态及所述第二存储器状态的组合式编程脉冲； 至少基于所述多个目标阈值电压电平计算所述一或多个第二编程脉冲的电压电平，包含计算所述组合式编程脉冲的第一电压电平； 选择所述存储器存储阵列中的第二存储器位置以编程所述第二信息； 通过在各别电压电平下施加所述一或多个第二编程脉冲来预编程所述第二存储器位置，包含在所述第一电压电平下施加所述组合式编程脉冲以预编程用于所述第一存储器状态及所述第二存储器状态的所述第二存储器位置，所述一或多个第二编程脉冲在无编程验证操作的情况下施加；以及 在预编程所述第二存储器位置之后，将所述信息编程至所述第二存储器位置。

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