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龙图腾网获悉远山新材料科技有限公司申请的专利基于AlN衬底的垂直器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211308646.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于AlN衬底的垂直器件及其制造方法是由王龙设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于AlN衬底的垂直器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开基于AlN衬底的垂直器件及其制造方法，垂直器件包括外延片和生长在外延片两端的第一钝化层、N欧姆接触层、阴极电极层和第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层，外延片包括衬底层、缓冲层和外延层，其中外延层包括AlGaN层、U‑GaN层和P‑GaN层，第一钝化层和N欧姆接触层在一侧贯穿至外延层，阴极电极层覆盖在衬底层、第一钝化层和N欧姆接触层的表面；P欧姆接触层位于P‑GaN层的表面，肖特基层贯穿至缓冲层，并部分覆盖P欧姆接触层的表面，第二钝化层覆盖部分缓冲层、肖特基层、P欧姆接触层、P‑GaN层和U‑GaN层，阳极电极层贯穿至肖特基层，并覆盖第二钝化层的表面。本申请提供的垂直器件散热效果好，封装工艺简单，虚焊可能性低，性能好。

本发明授权基于AlN衬底的垂直器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.基于AlN衬底的垂直器件，包括外延片，其中所述外延片包括由第一端至第二端依次生长形成的衬底层、缓冲层和外延层，其中所述外延层包括由所述缓冲层依次生长的AlGaN层、U-GaN层和P-GaN层，其特征在于，所述垂直器件于所述外延片的所述第一端设置有第一钝化层、N欧姆接触层和阴极电极层，并于所述外延片的所述第二端设置有第二钝化层、肖特基层、P欧姆接触层和阳极电极层； 其中所述第一钝化层和所述N欧姆接触层在所述外延片的一侧贯穿所述衬底层和所述缓冲层而延伸至所述外延层，所述N欧姆接触层的厚度小于所述第一钝化层的厚度，所述阴极电极层覆盖在所述衬底层、所述第一钝化层和所述N欧姆接触层的表面； 其中所述P-GaN层靠近所述外延层的一侧，所述P欧姆接触层位于所述P-GaN层远离所述缓冲层的表面，所述肖特基层在所述P-GaN层所在的一侧贯穿所述外延层而延伸至所述缓冲层，并部分覆盖所述P欧姆接触层的表面，所述第二钝化层覆盖部分所述缓冲层、所述肖特基层、所述P欧姆接触层、所述P-GaN层和所述U-GaN层，所述阳极电极层在所述第二钝化层远离所述缓冲层的表面贯穿所述第二钝化层而延伸至所述肖特基层，并至少部分覆盖所述第二钝化层的表面。

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