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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115803848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080099666.0，技术领域涉及：H01L21/00；该发明授权去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置是由张晓燕;王文军;陈福平;王俊;贾社娜;王德云;王晖;夏光煜;王鹤设计研发完成，并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置。在一个实施例中，一种方法包括以下步骤：将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中；所述一片或多片基板在DIO3槽中处理完后，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出并传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中；所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺。本发明将DIO3和SPM结合在一个清洗程序中，可以去除颗粒或光刻胶，尤其是去除被中剂量或高剂量离子注入处理过的光刻胶。

本发明授权去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法，其特征在于，包括： 将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中，以软化位于所述一片或多片基板的表面上的光刻胶硬壳，其中，在所述一片或多片基板被传输至DIO3槽之前，DIO3槽中的液体为DIW，将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中的步骤包括： 打开DIO3槽的盖子，将所述一片或多片基板传输至DIO3槽的DIW中，关闭DIO3槽的盖子； 从DIO3槽的底部溢流出DIO3溶液以替换DIO3槽中的DIW，所述DIO3溶液中的臭氧浓度为30ppm至120ppm； DIO3槽中充满DIO3溶液后，保持DIO3溶液溢流5到15分钟； 快速排放DIO3溶液； 用纯DIW填充DIO3槽； 打开DIO3槽的盖子，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出； 所述一片或多片基板在DIO3槽中处理完后，将从DIO3槽中取出的所述一片或多片基板传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中； 所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及 将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺。

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